[发明专利]TFT 中MIS 结构设计的控制方法及系统有效
| 申请号： | 201410579313.7 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN104282250A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 阙祥灯 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/00 | 分类号： | G09G3/00;G09G3/36;G02F1/133 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 朱绘;张文娟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种TFT中MIS结构设计的控制方法及系统，该方法包括：计算得到所设计的MIS结构中氮化硅的介电常数；判断所述氮化硅的介电常数是否达到TFT制程中的设定值，其中，若判断结果为否，则调整该MIS结构的参数，使得调整后的MIS结构中氮化硅的介电常数达到所述TFT制程中的设定值。本发明通过对所设计的MIS结构中介质层的特性进行测试，进而得到氮化硅的介电常数，然后，通过判断氮化硅的介电常数是否达到TFT制程中的规定，进而判断当前所设计的MIS结构是否符合所需的结构。因此，本发明能够有效地对MIS结构设计进行控制，提高TFT-LCD产品性能与稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | tft mis 结构设计 控制 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种TFT中MIS结构设计的控制方法，包括：计算得到所设计的MIS结构中氮化硅的介电常数；判断所述氮化硅的介电常数是否达到TFT制程中的设定值，其中，若判断结果为否，则调整该MIS结构的参数，使得调整后的MIS结构中氮化硅的介电常数达到所述TFT制程中的设定值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410579313.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种改进的多功能清洗剂
- 下一篇：一种亮绿乳酸培养基及其应用
