[发明专利]TFT 中MIS 结构设计的控制方法及系统

权利要求书

1.一种TFT中MIS结构设计的控制方法，包括：

计算得到所设计的MIS结构中氮化硅的介电常数；

判断所述氮化硅的介电常数是否达到TFT制程中的设定值，其中，

若判断结果为否，则调整该MIS结构的参数，使得调整后的MIS结构中氮化硅的介电常数达到所述TFT制程中的设定值。

2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，在计算得到所设计的MIS结构中氮化硅的介电常数的步骤中，进一步包括：

通过高频电容电压测试得到关于该MIS结构的电容电压特性曲线；

检测出该MIS结构中氮化硅的膜厚数值；

基于该MIS结构的电容电压特性曲线中的最大电容值和该MIS结构中氮化硅的膜厚数值，计算得到该MIS结构中氮化硅的介电常数。

3.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，

利用如下表达式来得到该MIS结构中氮化硅的介电常数ε_i：

ϵi=C max×diA×ϵ0]]>

式中，C max表示MIS结构的最大电容值，di表示MIS结构中氮化硅的膜厚数值，A表示电极面积，ε₀表示真空介电常数。

4.根据权利要求2或3所述的控制方法，其特征在于，在通过高频电容电压测试得到关于该MIS结构的电容电压特性曲线的步骤中，进一步：

给所述MIS结构施加高频电压讯号，并将高频电压讯号按照设定电压间隔从第一电压调整到第二电压，得到各个间隔的电容-电压值，进而将各个间隔的电容-电压值描绘成所述MIS结构的电容电压特性曲线。

5.一种TFT中MIS结构设计的控制系统，包括：

计算装置，其构成以计算得到所设计的MIS结构中氮化硅的介电常数；

判断装置，其构成以判断所述氮化硅的介电常数是否达到TFT制程中的设定值，其中，

若判断结果为否，则调整该MIS结构的参数，使得调整后的MIS结构中氮化硅的介电常数达到所述TFT制程中的设定值。

6.根据权利要求5所述的控制系统，其特征在于，所述计算装置进一步包括：

高频电容-电压特性测试装置，其构成以通过高频电容电压测试得到关于该MIS结构的电容电压特性曲线；

膜厚测量仪，其构成以检测出该MIS结构中氮化硅的膜厚数值；

计算器，其构成以基于该MIS结构的电容电压特性曲线中的最大电容值和该MIS结构中氮化硅的膜厚数值，计算得到该MIS结构中氮化硅的介电常数。

7.根据权利要求6所述的控制系统，其特征在于，

所述计算器利用如下表达式来得到所述MIS结构中氮化硅的介电常数ε_i：

ϵi=C max×diA×ϵ0]]>

式中，C max表示MIS结构的最大电容值，di表示MIS结构中氮化硅的膜厚数值，A表示电极面积，ε₀表示真空介电常数。

8.根据权利要求6所述的介电常数测量方法，其特征在于，高频电容-电压特性测试装置包括：

高频电容-电压特性测试仪，其构成以给所述MIS结构施加高频电压讯号，并将高频电压讯号按照设定电压间隔从第一电压调整到第二电压，得到各个间隔的电容-电压值；

X-Y函数记录仪，其耦接于高频电容-电压特性测试仪，并且其构成以将所述高频电容-电压特性测试仪输出的各个间隔的电容-电压值描绘成所述MIS结构的电容电压特性曲线。