[发明专利]一种提高LED发光效率的外延生长方法

摘要

本发明提供一种新的LED外延生长方法，能有效提升LED外延的发光效率。该方法包括生长N-GaN层的环节、生长多量子阱层的环节、以及生长P-GaN层的环节，所述多量子阱层为若干对AlxGa1-xN/InyGa1-yN的结构，0＜x＜1，0＜y＜1；生长多量子阱层的环节依次分为以下三个生长阶段：第一阶段对AlxGa1-xN量子垒进行p型掺杂；第二阶段对AlxGa1-xN量子垒不做掺杂；第三阶段对AlxGa1-xN量子垒进行n型掺杂；然后生长掺杂p型AlGaN阻挡层，再进行所述生长P-GaN层的环节。

主权项

一种提高LED发光效率的外延生长方法，包括生长N‑GaN层的环节、生长多量子阱层的环节、以及生长P‑GaN层的环节，所述多量子阱层为若干对AlxGa1‑xN/InyGa1‑yN的结构，0＜x＜1，0＜y＜1；其特征在于，生长多量子阱层的环节依次分为以下三个生长阶段：第一阶段，在N‑GaN层的基础上，生长至少一对AlxGa1‑xN/InyGa1‑yN，生长过程中对AlxGa1‑xN量子垒进行p型掺杂；第二阶段，生长至少一对AlxGa1‑xN/InyGa1‑yN，生长过程中对AlxGa1‑xN量子垒不做掺杂；第三阶段，生长至少一对AlxGa1‑xN/InyGa1‑yN，生长过程中对AlxGa1‑xN量子垒进行n型掺杂；然后生长掺杂p型AlGaN阻挡层，再进行所述生长P‑GaN层的环节。