[发明专利]一种肖特基二极管的制作方法在审
| 申请号： | 201410573142.7 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105590850A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 吴志伟;黄璇;孙海刚 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 路凯;胡彬 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管的制作方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：提供半导体基片，所述半导体基片包括衬底和外延层，在所述外延层内制备终端结构，所述外延层内制备有终端结构，且所述终端结构绕所述外延层上表面一周设置，所述终端结构限定区域内的外延层上表面为凹凸结构；在所述外延层之上制备势垒区，所述势垒区位于所述终端结构限定区域内的外延层之上，且与所述终端结构电连接，所述势垒区与所述外延层的接触面为凹凸结构；在所述势垒区之上制备正面电极；在所述衬底之下制备背面电极。本发明所述的肖特基二极管的制作方法将势垒区的表面制备成凹凸结构，降低了肖特基二极管的正向导通压降，且制备工艺简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供半导体基片，所述半导体基片包括衬底和外延层，在所述外延层内制备终端结构，所述外延层内制备有终端结构，且所述终端结构绕所述外延层上表面一周设置，所述终端结构限定区域内的外延层上表面为凹凸结构；步骤S2、在所述外延层之上制备势垒区，所述势垒区位于所述终端结构限定区域内的外延层之上，且与所述终端结构电连接，所述势垒区与所述外延层的接触面为凹凸结构；步骤S3、在所述势垒区之上制备正面电极；步骤S4、在所述衬底之下制备背面电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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