[发明专利]一种肖特基二极管的制作方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供半导体基片，所述半导体基片包括衬底和外延层，在所述外 延层内制备终端结构，所述外延层内制备有终端结构，且所述终端结构绕所述 外延层上表面一周设置，所述终端结构限定区域内的外延层上表面为凹凸结 构；

步骤S2、在所述外延层之上制备势垒区，所述势垒区位于所述终端结构限 定区域内的外延层之上，且与所述终端结构电连接，所述势垒区与所述外延层 的接触面为凹凸结构；

步骤S3、在所述势垒区之上制备正面电极；

步骤S4、在所述衬底之下制备背面电极。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述 步骤S1包括以下步骤：

步骤S11、在所述外延层之上依次制备第一氧化层和氮化硅层；

步骤S12、采用光刻技术蚀刻所述氮化硅层，形成间隔排列的至少一个氮 化硅窗口；

步骤S13、采用热氧化技术对所述氮化硅窗口内的第一氧化层进行处理， 使得所述第一氧化层与外延层的接触面为凹凸结构；

步骤S14、采用腐蚀法去除剩余的氮化硅层。

步骤S15、补长所述第一氧化层；

步骤S16、利用光刻技术蚀刻所述第一氧化层的一周，并向露出的外延层 内进行离子注入制备出场限环。

3.根据权利要求2所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述 步骤S12中形成的氮化硅窗口的形状为条形、多边形或圆形。

4.根据权利要求2所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述 步骤S12中形成的氮化硅窗口的尺寸小于或等于20微米，相邻的氮化硅窗口之 间的间隔小于或等于10微米。

5.根据权利要求2所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述 步骤S16后还包括以下步骤：

步骤S17、制备第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述场限环的全部。

6.根据权利要求5所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述 步骤S2包括以下步骤：

步骤S21、利用湿法腐蚀去除场限环限定区域内的第一氧化层及场限环内 侧区域上的第二氧化层，露出外延层；

步骤S22、在所述外延层之上淀积势垒金属，再进行退火处理，以形成势 垒区，所述势垒区覆盖场限环的限定区域及场限环上表面未被所述第二氧化层 覆盖的区域。

7.根据权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述 步骤S3中制备正面电极的方法为在所述势垒区之上淀积正面电极金属以形成 正面电极。

8.根据权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述 步骤S4包括以下步骤：

步骤S41、利用减薄机，减薄所述衬底；

步骤S42、在减薄后的衬底之下制备背面电极。

9.根据权利要求8所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述 步骤S42中制备背面电极的方法为在所述减薄后的衬底之下淀积背面电极金属 以形成背面电极。