[发明专利]降低自旋力矩转移磁阻性随机存取存储器（STT‑MRAM）中的源极负载效应有效
| 申请号： | 201410563657.9 | 申请日： | 2010-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN104282327B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李康浩;升·H·康;朱晓春 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及降低自旋力矩转移磁阻性随机存取存储器(STT‑MRAM)中的源极负载效应。本发明揭示降低STT‑MRAM中的源极负载效应的系统及方法。在特定实施例中，一种方法包括确定磁性隧道结(MTJ)结构的切换电流比率，所述切换电流比率使得存储器单元能够稳定操作。所述存储器单元包括串联耦合到存取晶体管的所述MTJ结构。所述方法还包括修改易发生于所述MTJ结构的自由层的偏移磁场。所述经修改的偏移磁场致使所述MTJ结构展现所述切换电流比率。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 自旋 力矩 转移 磁阻 随机存取存储器 stt mram 中的 负载 效应 | ||
【主权项】：
一种用于降低存储器中的源极负载效应的设备，其包含：存储器单元，所述存储器单元包含在位线与源极线之间耦合的磁性隧道结(MTJ)结构，所述MTJ结构包括：耦合到所述位线的自由层；以及经钉扎层，其中所述自由层的磁矩在第一状态中与所述经钉扎层的磁矩大体上平行且在第二状态中与所述经钉扎层的磁矩大体上反平行，其中所述经钉扎层具有物理尺寸以产生不平衡的偏移磁场，其中所述物理尺寸与所述MTJ结构的切换电流比率相关联，其中当第一电压被施加到所述位线时所述不平衡的偏移磁场对应于穿过所述MTJ结构以使得所述第一状态向所述第二状态切换的第一切换电流，且其中当所述第一电压被施加到所述源极线时所述不平衡的偏移磁场对应于穿过所述MTJ结构以使得所述第二状态向所述第一状态切换的第二切换电流。
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