[发明专利]半导体结构及其制作工艺在审
| 申请号： | 201410562847.9 | 申请日： | 2014-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN105590910A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 洪庆文;张宗宏;李怡慧;黄志森;陈意维;许家彰;黄信富;吴俊元;邹世芳 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，该半导体结构包含有一介电层、一钛层、一氮化钛层以及一金属。介电层设置于一基底上，其中介电层具有一通孔。钛层覆盖通孔，其中钛层具有小于1500Mpa(兆帕)的拉伸应力。氮化钛层顺应地覆盖钛层。金属填满通孔。本发明还提出一种半导体制作工艺，用以形成此半导体结构。此半导体制作工艺，包含有下述步骤。首先，形成一介电层于一基底上，其中介电层具有一通孔。接着，形成一钛层，顺应地覆盖通孔，其中钛层具有小于500Mpa的压缩应力。接续，形成一氮化钛层，顺应地覆盖钛层。而后，填入一金属于通孔中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含有：介电层，设置于一基底上，其中该介电层具有一通孔；钛层，覆盖该通孔，其中该钛层具有小于1500Mpa(兆帕)的拉伸应力；氮化钛层顺应地覆盖该钛层；以及金属，填满该通孔。
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