[发明专利]半导体结构及其制作工艺

权利要求书

1.一种半导体结构，包含有：

介电层，设置于一基底上，其中该介电层具有一通孔；

钛层，覆盖该通孔，其中该钛层具有小于1500Mpa(兆帕)的拉伸应力；

氮化钛层顺应地覆盖该钛层；以及

金属，填满该通孔。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该通孔包含一接触洞，而该钛 层、该氮化钛层以及该金属形成一接触插塞。

3.如权利要求1所述的半导体结构，还包含：

金属硅化物，设置于该氮化钛层以及该基底之间。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该金属硅化物包含一钛硅金属 硅化物。

5.如权利要求3所述的半导体结构，还包含：

栅极，设置于该通孔旁的该基底上；以及

源/漏极设置于该钛层下方的该基底中，且该金属硅化物设置于该源/漏 极上。

6.如权利要求1所述的半导体结构，还包含：

栅极，设置于该钛层的正下方并与该钛层接触。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属包含钨。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该介电层包含一层间介电层。

9.一种半导体制作工艺，包含有

形成一介电层于一基底上，其中该介电层具有一通孔；

形成一钛层，顺应地覆盖该通孔，其中该钛层具有小于500Mpa的压缩 应力；

形成一氮化钛层，顺应地覆盖该钛层；以及

填入一金属于该通孔中。

10.如权利要求9所述的半导体制作工艺，其中该钛层具有小于300Mpa 的压缩应力。

11.如权利要求9所述的半导体制作工艺，其中该钛层由溅镀 (sputtering)制作工艺形成。

12.如权利要求9所述的半导体制作工艺，其中该氮化钛层由金属有机 化学气相沉积(metal-organicchemicalvapordeposition)制作工艺形成。

13.如权利要求12所述的半导体制作工艺，其中形成该氮化钛层的制作 工艺温度为400℃。

14.如权利要求9所述的半导体制作工艺，其中在形成该氮化钛层之后， 还包含：

形成一金属硅化物于该氮化钛层以及该基底之间。

15.如权利要求14所述的半导体制作工艺，其中形成该金属硅化物的步 骤，包含：

进行一退火制作工艺，以将至少部分的该钛层以及部分的该基底转换为 一钛硅金属硅化物。

16.如权利要求9所述的半导体制作工艺，其中在形成该介电层之后， 还包含：

进行一清洗制作工艺，以清洗该通孔。

17.如权利要求9所述的半导体制作工艺，其中该通孔包含一接触洞， 而该钛层、该氮化钛层以及该金属形成一接触插塞。

18.如权利要求17所述的半导体制作工艺，在形成该介电层之前，还包 含：

形成一栅极于该基底上；以及

形成一源/漏极于该栅极侧边的该基底中，使该栅极位于该通孔旁，而该 源/漏极于该氮化钛层正下方的该基底中。

19.如权利要求17所述的半导体制作工艺，在形成该介电层之前，还包 含：

形成一栅极于该基底上，使该栅极设置于该钛层的正下方并与该钛层接 触。

20.如权利要求9所述的半导体制作工艺，其中形成该氮化钛层之后， 具有小于500Mpa的压缩应力的该钛层转化为具有大于1500Mpa的拉伸应 力。