[发明专利]一种MOCVD设备的进气装置及MOCVD设备有效
| 申请号: | 201410558174.X | 申请日: | 2014-10-20 |
| 公开(公告)号: | CN104264129A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
| 发明(设计)人: | 王钢;吴飞飞;李健;范冰丰 | 申请(专利权)人: | 佛山市中山大学研究院 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/18 |
| 代理公司: | 广州圣理华知识产权代理有限公司 44302 | 代理人: | 顿海舟;陈业胜 |
| 地址: | 528222 广东省佛山市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种MOCVD设备的进气装置及MOCVD设备,进气装置内部设有相互隔离的第一腔体和第二腔体;第一腔体沿进气装置的直径方向设置,在第一腔体上竖向设有多个第一气体进气管,第二腔体位于第一腔体两侧,第二腔体内横向设有第二气体进气管道,第二气体进气管道贯穿进气装置侧壁,第二气体进气管道的管壁上设有多个喷孔;第二腔体上竖向设有多个第三气体进气管,第二气体与第三气体在第二腔体内混合后向下移动,进气装置的底面为第一过滤网,第一气体、第二气体和第三气体穿过第一过滤网向下流动。本发明进气装置的气体管道架构简洁,进气易控制,降低了设备制造成本及难度,提高了气体均匀性以及薄膜生长的均匀性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 mocvd 设备 装置 | ||
【主权项】:
一种MOCVD设备的进气装置,其特征在于,所述进气装置内部设有相互隔离的第一腔体和第二腔体;所述第一腔体沿进气装置的直径方向设置,在第一腔体上竖向设有多个第一气体进气管,第一气体进气管的进气端凸出于进气装置顶部,从各第一气体进气管流入的气体进入第一腔体内混合;所述第二腔体位于第一腔体两侧,第二腔体内横向设有第二气体进气管道,所述第二气体进气管道贯穿进气装置侧壁,第二进气管道的一端为进气端,另一端为闭合端,且闭合端靠近进气装置中心处设置,第二气体进气管道的管壁上设有多个喷孔;还包括竖向设于第二腔体上的多个第三气体进气管,第三气体进气管的进气端凸出于进气装置顶部;第二气体与第三气体在第二腔体内混合并向下流动;所述进气装置的底面为第一过滤网,第一气体、第二气体和第三气体穿过所述第一过滤网向下流动。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





