[发明专利]一种MOCVD设备的进气装置及MOCVD设备有效
| 申请号: | 201410558174.X | 申请日: | 2014-10-20 |
| 公开(公告)号: | CN104264129A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
| 发明(设计)人: | 王钢;吴飞飞;李健;范冰丰 | 申请(专利权)人: | 佛山市中山大学研究院 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/18 |
| 代理公司: | 广州圣理华知识产权代理有限公司 44302 | 代理人: | 顿海舟;陈业胜 |
| 地址: | 528222 广东省佛山市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 mocvd 设备 装置 | ||
1.一种MOCVD设备的进气装置,其特征在于,所述进气装置内部设有相互隔离的第一腔体和第二腔体;
所述第一腔体沿进气装置的直径方向设置,在第一腔体上竖向设有多个第一气体进气管,第一气体进气管的进气端凸出于进气装置顶部,从各第一气体进气管流入的气体进入第一腔体内混合;
所述第二腔体位于第一腔体两侧,第二腔体内横向设有第二气体进气管道,所述第二气体进气管道贯穿进气装置侧壁,第二进气管道的一端为进气端,另一端为闭合端,且闭合端靠近进气装置中心处设置,第二气体进气管道的管壁上设有多个喷孔;还包括竖向设于第二腔体上的多个第三气体进气管,第三气体进气管的进气端凸出于进气装置顶部;第二气体与第三气体在第二腔体内混合并向下流动;
所述进气装置的底面为第一过滤网,第一气体、第二气体和第三气体穿过所述第一过滤网向下流动。
2.根据权利要求1所述的进气装置,其特征在于,所述第一腔体由至少两段单排直列的条状型腔体组成,各条状型腔体的底部相互连通。
3.根据权利要求1所述的进气装置,其特征在于,所述第二进气管道为多个,各第二进气管道以进气装置中心为圆心,呈放射状均匀分布。
4.根据权利要求3所述的进气装置,其特征在于,所述多个第三气体进气管呈环向均匀分布在进气装置上,所述第三气体进气管与进气装置中心的距离为0.03-0.1m。
5.根据权利要求1所述的进气装置,其特征在于,所述第二气体进气管道上的多个喷孔等距离排列,且相邻喷孔的距离为0.04-0.09m。
6.根据权利要求1所述的进气装置,其特征在于,在所述第二气体进气管道的下方设有第二过滤网,第三气体进气管的排气端位于所述第二过滤网下方,第二气体从所述喷孔喷出后穿过第二过滤网向下流动,并在第二过滤网下方与第三气体混合,混合后的气体穿过所述第一过滤网向下移动。
7.根据权利要求6所述的进气装置,其特征在于,所述第二过滤网的孔径小于所述第一过滤网的孔径。
8.根据权利要求1所述的进气装置,其特征在于,还包括分别设于第一气体进气管、第二气体进气管道和第三气体进气管的进气端处的质量流量控制计。
9.一种MOCVD设备,其特征在于,包括权利要求1至8任一项所述的进气装置,还包括反应室、衬底承载座和位于衬底承载座下方的加热装置;所述进气装置位于反应室上方,所述衬底承载座可旋转地设于反应室底部;气体从所述第一过滤网喷出至反应室内进行反应,在衬底承载座上形成薄膜。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





