[发明专利]一种晶圆生产工艺在审
| 申请号： | 201410550980.2 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105575765A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 华源兴 | 申请（专利权）人： | 江苏凯旋涂装自动化工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B33/08;C30B28/10 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 徐鹏飞 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种晶圆生产工艺，包括如下步骤：晶棒成长工序；晶棒裁切与检测；外径研磨；切片；圆边；研磨；蚀刻；去疵；抛光；清洗。本发明工艺过程简单，生产出的晶圆质量高，同时降低了生产成本，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生产工艺 | ||
【主权项】：
一种晶圆生产工艺，其特征在于，包括如下步骤：S101、晶棒成长工序；S102、晶棒裁切与检测：将长成的晶棒去掉直径未达标头、尾部分，并对尺寸进行检测；S103、外径研磨：对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差；S104、切片：采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片；S105、圆边：电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸；S106、研磨：去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度；S107、蚀刻：以化学蚀刻的方法，去掉经上述步骤加工后在晶片表面产生的一层损伤层；S108、去疵：用喷砂法将晶片上的瑕疵与缺陷感到下半层；S109、抛光：对晶片的边缘和表面进行抛光处理，去掉附着在晶片上的微粒，获得极佳的表面平整度；S1010、清洗：将加工完成的晶片进行彻底清洗、风干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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