[发明专利]一种晶圆生产工艺

说明书

技术领域

本发明涉及晶圆生产技术领域，尤其涉及一种晶圆生产工艺。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称 为晶圆。在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能 之IC产品。晶圆的原始材料是硅，地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅 矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅。但是， 传统晶圆生产工艺良莠不齐，总体都存在过程繁琐，成本高，良率低的不足。

发明内容

本发明的目的在于通过一种晶圆生产工艺，来解决以上背景技术部分提到 的问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种晶圆生产工艺，其包括如下步骤：

S101、晶棒成长工序；

S102、晶棒裁切与检测：将长成的晶棒去掉直径未达标头、尾部分，并对 尺寸进行检测；

S103、外径研磨：对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允 许偏差；

S104、切片：采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切 割成一片片薄片；

S105、圆边：电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸；

S106、研磨：去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到 所要求的光洁度；

S107、蚀刻：以化学蚀刻的方法，去掉经上述步骤加工后在晶片表面产生 的一层损伤层；

S108、去疵：用喷砂法将晶片上的瑕疵与缺陷感到下半层；

S109、抛光：对晶片的边缘和表面进行抛光处理，去掉附着在晶片上的微 粒，获得极佳的表面平整度；

S1010、清洗：将加工完成的晶片进行彻底清洗、风干。

特别地，所述步骤S1010之后还包括步骤：S1011、检验：检验产品的尺寸、 形状、表面光洁度、平整度是否达到规定要求。

特别地，所述步骤S101具体包括：融化，将块状的复晶硅置于石英坩锅内， 加热到其熔点，使其完全融化；颈部成长，待硅融浆的温度稳定之后，将晶种 插入其中，接着将晶种往上提升，使其直径缩小到预设尺寸；晶冠成长，颈部 成长完成后，降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸；晶体成 长，调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，直到晶棒长度；尾部成 长，当晶棒长度达到预定值后再加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐 渐变小，使晶棒与液面完全分离。

本发明提供的晶圆生产工艺过程简单，生产出的晶圆质量高，同时降低了 生产成本，提高了产品良率。

附图说明

图1为本发明实施例提供的晶圆生产工艺流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。可以理解的是，此处所描 述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明 的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。

请参照图1所示，图1为本发明实施例提供的晶圆生产工艺流程图。

本实施例中晶圆生产工艺具体包括如下步骤：

S101、晶棒成长工序。具体过程包括：融化，将块状的复晶硅置于石英坩 锅内，加热到其熔点，使其完全融化；颈部成长，待硅融浆的温度稳定之后， 将晶种插入其中，接着将晶种往上提升，使其直径缩小到预设尺寸；晶冠成长， 颈部成长完成后，降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸；晶 体成长，调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，直到晶棒长度；尾 部成长，当晶棒长度达到预定值后再加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直 径逐渐变小，使晶棒与液面完全分离。

S102、晶棒裁切与检测：将长成的晶棒去掉直径未达标头、尾部分，并对 尺寸进行检测。

S103、外径研磨：对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允 许偏差。

S104、切片：采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切 割成一片片薄片。

S105、圆边：电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。

S106、研磨：去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到 所要求的光洁度。