[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本公开涉及制造半导体器件的方法。所述方法抑制了当执行使用刀片的切片步骤以获取具有半导体晶片的减小厚度的半导体芯片时发生的芯片开裂。当在用于半导体晶片的切片步骤中切割半导体晶片时，如下使刀片前进在沿着第一直线在第一方向(在图12中的Y方向)上进行切割时，使刀片从第一点前进到第二点。第一点位于第一部分中且第二点与第一点相对，在其之间具有穿过半导体晶片的中心点的第二直线。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供基材，所述基材包括：具有四个边的上表面，形成在所述上表面上并且还沿着所述上表面的所述四个边中的第一衬底边布置的多个第一键合引线，形成在所述上表面上并且还沿着面向所述第一衬底边的所述上表面的所述四个边中的第二衬底边布置的多个第二键合引线，以及与所述上表面相反的下表面；(b)在步骤(a)之后，经由第一粘合层在所述基材的所述上表面上布置第一半导体芯片使得第一半导体芯片主边比面向所述第一半导体芯片主边的第一半导体芯片相反边更接近所述第一衬底边，并且使得所述第一半导体芯片与所述第一键合引线和所述第二键合引线间隔开，其中所述第一半导体芯片包括：具有四个边的第一前表面，形成在所述第一前表面上并且还沿着所述第一前表面的所述四个边中的所述第一半导体芯片主边布置的多个第一键合焊盘，以及与所述第一前表面相反的第一后表面，其中所述第一键合焊盘位于比所述第一半导体芯片相反边更接近所述第一半导体芯片主边的位置；(c)在步骤(b)之后，经由第二粘合层在所述第一半导体芯片的所述第一前表面上布置第二半导体芯片使得第二半导体芯片主边比面向所述第二半导体芯片主边的第二半导体芯片相反边更接近所述第一衬底边，使得所述第二半导体芯片暴露所述第一键合焊盘，并且使得所述第二半导体芯片主边和所述第二半导体芯片相反边分别比所述第一半导体芯片主边和所述第一半导体芯片相反边更接近所述第二衬底边，其中所述第二半导体芯片包括：具有四个边的第二前表面，形成在所述第二前表面上并且还沿着所述第二前表面的所述四个边中的所述第二半导体芯片主边布置的多个第二键合焊盘，以及与所述第二前表面相反的第二后表面，其中所述第二键合焊盘位于比所述第二半导体芯片相反边更接近所述第二半导体芯片主边的位置；(d)在步骤(c)之后，经由第三粘合层在所述第二半导体芯片的所述第二前表面上布置第三半导体芯片使得第三半导体芯片主边比面向所述第三半导体芯片主边的第三半导体芯片相反边更接近所述第一衬底边，使得所述第三半导体芯片暴露所述第二键合焊盘，并且使得所述第三半导体芯片主边和所述第三半导体芯片相反边分别比所述第二半导体芯片主边和所述第二半导体芯片相反边更接近所述第二衬底边，其中所述第三半导体芯片包括：具有四个边的第三前表面，形成在所述第三前表面上并且还沿着所述第三前表面的所述四个边中的所述第三半导体芯片相反边布置的多个第三键合焊盘，以及与所述第三前表面相反的第三后表面，其中所述第三键合焊盘位于比所述第三半导体芯片相反边更接近所述第三半导体芯片主边的位置；(e)在步骤(d)之后，经由第四粘合层在所述第三半导体芯片的所述第三前表面上布置第四半导体芯片使得第四半导体芯片主边比面向所述第四半导体芯片主边的第四半导体芯片相反边更接近所述第一衬底边，使得所述第四半导体芯片暴露所述第三键合焊盘，并且使得所述第四半导体芯片主边和所述第四半导体芯片相反边分别比所述第三半导体芯片主边和所述第三半导体芯片相反边更接近所述第二衬底边，其中所述第四半导体芯片包括：具有四个边的第四前表面，形成在所述第四前表面上并且还沿着所述第四前表面的所述四个边中的所述第四半导体芯片主边布置的多个第四键合焊盘，以及与所述第四前表面相反的第四后表面，其中所述第四键合焊盘位于比所述第四半导体芯片相反边更接近所述第四半导体芯片主边的位置；(f)在步骤(e)之后，将多个第一导线分别与所述第一键合焊盘电连接；(g)在步骤(f)之后，将多个第二导线分别与所述第二键合焊盘电连接；(h)在步骤(g)之后，将多个第三导线分别与所述第三键合焊盘电连接；(i)在步骤(h)之后，将多个第四导线分别与所述第四键合焊盘电连接；(j)在步骤(i)之后，经由第五粘合层在所述第四半导体芯片的所述第四前表面上布置第五半导体芯片使得第五半导体芯片主边比面向所述第五半导体芯片主边的第五半导体芯片相反边更接近所述第二衬底边，使得所述第五半导体芯片暴露所述第四键合焊盘，并且使得所述第五半导体芯片主边和所述第五半导体芯片相反边分别比所述第四半导体芯片相反边和所述第四半导体芯片主边更接近所述第二衬底边，其中所述第五半导体芯片包括：具有四个边的第五前表面，形成在所述第五前表面上并且还沿着所述第五前表面的四个边中的所述第五半导体芯片主边布置的多个第五键合焊盘，以及与所述第五前表面相反的第五后表面，其中所述第五键合焊盘位于比所述第五半导体芯片相反边更接近所述第五半导体芯片主边的位置；(k)在步骤(j)之后，经由第六粘合层在所述第五半导体芯片的所述第五前表面上布置第六半导体芯片使得第六半导体芯片主边比面向所述第六半导体芯片主边的第六半导体芯片相反边更接近所述第二衬底边，使得所述第六半导体芯片与所述第四半导体芯片重叠，使得所述第六半导体芯片暴露所述第五键合焊盘，并且使得所述第六半导体芯片主边和所述第六半导体芯片相反边分别比所述第五半导体芯片主边和所述第五半导体芯片相反边更接近所述第一衬底边，其中所述第六半导体芯片包括：具有四个边的第六前表面，形成在所述第六前表面上并且还沿着所述第六前表面的所述四个边中的所述第六半导体芯片主边布置的多个第六键合焊盘，以及与所述第六前表面相反的第六后表面，其中所述第六键合焊盘位于比所述第六半导体芯片相反边更接近所述第六半导体芯片主边的位置；(l)在步骤(k)之后，经由第七粘合层在所述第六半导体芯片的所述第六前表面上布置第七半导体芯片使得第七半导体芯片主边比面向所述第七半导体芯片主边的第七半导体芯片相反边更接近所述第二衬底边，使得所述第七半导体芯片与所述第三半导体芯片重叠，使得所述第七半导体芯片暴露所述第六键合焊盘，并且使得所述第七半导体芯片主边和所述第七半导体芯片相反边分别比所述第六半导体芯片主边和所述第六半导体芯片相反边更接近所述第一衬底边，其中所述第七半导体芯片包括：具有四个边的第七前表面，形成在所述第七前表面上并且还沿着所述第七前表面的所述四个边中的所述第七半导体芯片主边布置的多个第七键合焊盘，以及与所述第七前表面相反的第七后表面，其中所述第七键合焊盘位于比所述第七半导体芯片相反边更接近所述第七半导体芯片主边的位置；(m)在步骤(1)之后，经由第八粘合层在所述第七半导体芯片的所述第七前表面上布置第八半导体芯片使得第八半导体芯片主边比面向所述第八半导体芯片主边的第八半导体芯片相反边更接近所述第二衬底边，使得所述第八半导体芯片与所述第二半导体芯片重叠，使得所述第八半导体芯片暴露所述第七键合焊盘，并且使得所述第八半导体芯片主边和所述第八半导体芯片相反边分别比所述第七半导体芯片主边和所述第七半导体芯片相反边更接近所述第一衬底边，其中所述第八半导体芯片包括：具有四个边的第八前表面，形成在所述第八前表面上并且还沿着所述第八前表面的所述四个边中的所述第八半导体芯片主边布置的多个第八键合焊盘，以及与所述第八前表面相反的第八后表面，其中所述第八键合焊盘位于比所述第八半导体芯片相反边更接近所述第八半导体芯片主边的位置；(n)在步骤(m)之后，将多个第五导线分别与所述第五键合焊盘电连接；(o)在步骤(n)之后，将多个第六导线分别与所述第六键合焊盘电连接；(p)在步骤(o)之后，将多个第七导线分别与所述第七键合焊盘电连接；(q)在步骤(p)之后，将多个第八导线分别与所述第八键合焊盘电连接；以及(r)在步骤(q)之后，以树脂密封所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七和第八半导体芯片以及所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七和第八导线；其中，所述基材还包括：形成在所述上表面上的多个布线，以及覆盖所述布线的阻焊膜，其中，所述第一半导体芯片是最下层芯片，其中，所述第八半导体芯片是最上层芯片，其中，所述第一、第五和第八半导体芯片中的每一个的厚度大于所述第二、第三、第四、第六和第七半导体芯片中的每一个的厚度，并且其中，所述第一、第五和第八半导体芯片中的每一个的厚度彼此相同。