[发明专利]一种调控铁磁性能的铁电场效应管的制备方法在审
申请号: | 201410546700.0 | 申请日: | 2014-10-16 |
公开(公告)号: | CN104362094A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 赵晓林;王建禄;孟祥建;韩莉;孙硕;沈宏;林铁;孙璟兰;褚君浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种调控铁磁性能的铁电场效应管的制备方法。该方法用激光脉冲沉积的方法以一定的参数生长表面平整结晶性较好的Lax(CaSr)(1-x)MnO3薄膜。然后采用光刻的方法刻蚀出所需的霍尔结构的形状,然后将有机铁电聚合物溶入二甲基亚砜溶液中,通过朗缪尔-布罗基特方法,逐层将有机铁电聚合物转移至刻有霍尔结构形状的Lax(CaSr)(1-x)MnO3衬底上,经过退火处理,去除界面残留溶剂及保证薄膜具有良好结晶特性。最后再通过光刻的方法生长栅电极从而制备完成铁电场效应晶体管器件,本发明方法工艺简单,为研究有机铁电聚合物调控铁磁薄膜的磁学性能提供了保证。 | ||
搜索关键词: | 一种 调控 铁磁性 电场 效应 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种调控铁磁性能的铁电场效应管的制备方法,其特征包括以下步骤:(1)采用激光脉冲沉积在100取向的SrTiO3衬底上生长10nm厚的Lax(CaSr)(1‑x)MnO3(以下简称LCSMO)薄膜,其中衬底材料SrTiO3衬底为100取向的氧化物单晶,衬底的表面粗糙度低于2纳米,铁磁材料LCSMO薄膜的厚度为10nm;(2)在LCSMO薄膜表面经过旋涂光刻胶、烘烤、紫外光曝光、显影、烘烤、Ar离子刻蚀等步骤得到所需的霍尔结构的图形;再次经过光刻步骤将霍尔结构的引脚溅射生长Au电极;(3)将有机铁电聚合物溶液滴均匀铺入朗缪尔‑布罗基特设备已经注入静置超纯水的液体槽中,待有机铁电聚合物均匀分布在液面,并通过挤压成膜的液面,通过控制液面表面压力使薄膜成膜连续;将连续薄膜通过水平转移朗缪尔‑布罗基特方法转移至有LCSMO图形的衬底上,通过逐层转移一定厚度的PVDF基有机铁电聚合物薄膜,并将生长的薄膜经过退火处理,薄膜的退火温度110‑135℃,维持4小时后,冷却至室温,便得到高结晶性PVDF基铁电聚合物薄膜;(4)在已经生长好PVDF基铁电聚合物的衬底上热蒸发100nm的金属Al,再经过旋涂光刻胶、烘烤、紫外光曝光、显影、烘烤、Ar离子刻蚀等步骤得到所需的栅电极的图形结构,经过上述步骤便得到PVDF基铁电场效应晶体管器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410546700.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶圆级芯片规模封装工艺
- 下一篇:带有汞污染修复装置的环保节能灯
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造