[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410538607.5 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105489484B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有沟槽；在所述沟槽中循环进行第一可流动的层间介电层的至少一部分的沉积操作和第一固化处理操作，直至填满所述沟槽，以形成所述第一可流动的层间介电层；在所述半导体衬底和所述第一可流动的层间介电层上沉积第二可流动的层间介电层；对所述第一可流动的层间介电层和所述第二可流动的层间介电层进行第二固化处理；以及对所述第一可流动的层间介电层和所述第二可流动的层间介电层进行蒸气退火处理。本发明提供的半导体器件的制造方法可以改善沟槽深处的沉积膜的质量而不增加热预算，有利于较深沟槽的填充。 | ||
| 搜索关键词： | 层间介电层 可流动 半导体器件 衬底 半导体 电子装置 固化处理 沉积 制造 退火处理 沉积膜 热预算 深沟槽 填充 填满 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有沟槽；在所述沟槽中循环进行第一可流动的层间介电层的至少一部分的沉积操作和第一固化处理操作，直至填满所述沟槽，以形成所述第一可流动的层间介电层；在所述半导体衬底和所述第一可流动的层间介电层上沉积第二可流动的层间介电层；对所述第一可流动的层间介电层和所述第二可流动的层间介电层进行第二固化处理；以及对所述第一可流动的层间介电层和所述第二可流动的层间介电层进行蒸气退火处理，以去除介电材料中多余的水气并且使介电材料致密化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410538607.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
