[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410538607.5 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105489484B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层间介电层 可流动 半导体器件 衬底 半导体 电子装置 固化处理 沉积 制造 退火处理 沉积膜 热预算 深沟槽 填充 填满 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有沟槽；
在所述沟槽中循环进行第一可流动的层间介电层的至少一部分的沉积操作和第一固化处理操作，直至填满所述沟槽，以形成所述第一可流动的层间介电层；
在所述半导体衬底和所述第一可流动的层间介电层上沉积第二可流动的层间介电层；
对所述第一可流动的层间介电层和所述第二可流动的层间介电层进行第二固化处理；以及
对所述第一可流动的层间介电层和所述第二可流动的层间介电层进行蒸气退火处理，以去除介电材料中多余的水气并且使介电材料致密化。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一固化处理操作为低温紫外线固化处理，处理温度为50～80℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二固化处理操作为臭氧固化处理，处理温度为150℃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一可流动的层间介电层的所述至少一部分采用可流动的化学气相沉积工艺沉积。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二可流动的层间介电层采用可流动的化学气相沉积工艺沉积。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一可流动的层间介电层的所述至少一部分的沉积操作和第一固化处理操作循环2～3次。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一可流动的层间介电层的所述至少一部分的厚度为200～600埃。
8.一种采用权利要求1-7之一所述的方法制造的半导体器件。
9.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求8所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
