[发明专利]采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器

摘要

采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有采用体布拉格光栅的外腔半导体激光器体积较大；现有采用内置布拉格光栅的分布反馈半导体激光器其制作需要进行芯片的二次外延生长，导致外延结构复杂，不可避免地造成污染和引进缺陷。本发明是一种边发射半导体激光器，激光器芯片外延结构的前腔面、后腔面均覆有增透膜，在后腔面增透膜上沉积有增反膜；所述增透膜为Si₃N₄膜；所述增反膜的膜系结构及材料为[Ge/SiO₂]³Ge；在前腔面增透膜上沉积有一组平行条形增反膜，由前腔面增透膜和该组条形增反膜构成腔面光栅，腔面光栅方向与所述外延结构衬底方向垂直，腔面光栅占空比σ为0.2～0.3，所述条形增反膜的膜系结构及材料为[Ge/SiO₂]³Ge。

主权项

一种采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器，是一种边发射半导体激光器，激光器芯片外延结构的前腔面、后腔面均覆有增透膜(1)，在后腔面增透膜(1)上沉积有增反膜(2)；其特征在于，所述增透膜(1)为Si₃N₄膜；所述增反膜(2)的膜系结构及材料为[Ge/SiO₂]³Ge；在前腔面增透膜(1)上沉积有一组平行条形增反膜(3)，由前腔面增透膜(1)和该组条形增反膜(3)构成腔面光栅(4)，腔面光栅(4)方向与所述外延结构衬底方向垂直，腔面光栅(4)占空比σ为0.2～0.3，所述条形增反膜(3)的膜系结构及材料为[Ge/SiO₂]³Ge。