[发明专利]采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器

权利要求书

1.一种采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器，是一种边发射半导体激光器，激光器芯片外延结构的前腔面、后腔面均覆有增透膜(1)，在后腔面增透膜(1)上沉积有增反膜(2)；其特征在于，所述增透膜(1)为Si₃N₄膜；所述增反膜(2)的膜系结构及材料为[Ge/SiO₂]³Ge；在前腔面增透膜(1)上沉积有一组平行条形增反膜(3)，由前腔面增透膜(1)和该组条形增反膜(3)构成腔面光栅(4)，腔面光栅(4)方向与所述外延结构衬底方向垂直，腔面光栅(4)占空比σ为0.2～0.3，所述条形增反膜(3)的膜系结构及材料为[Ge/SiO₂]³Ge。

2.根据权利要求1所述的采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器，其特征在于，所述增透膜(1)的膜厚为101nm；所述增反膜(2)的膜厚为607.6nm；所述条形增反膜(3)的膜厚为607.6nm。

3.根据权利要求1所述的采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器，其特征在于，所述腔面光栅4的周期为一级周期120nm，或者二级周期240nm。