[发明专利]基于SiGe BiCMOS工艺的ECL触发器

摘要

本发明涉及一种基于SiGe BiCMOS工艺的ECL触发器，它包括一个高电平锁存电路单元和一个低电平锁存电路单元。本发明电路在常规ECL触发器电路的基础上增加了四个电感L1、L2、L3、L4，这四个电感做ECL触发器的负载，在不缩小信号通路晶体管尺寸的前提下，提高了触发器的工作频率。常规ECL触发器工作频率最高有8GHz，本发明的ECL触发器工作频率最高可以达到12GHz，提高50％。本发明电路结构简单、实现方便、功耗不高，可适用于光通信、自动仪器测试等领域。

主权项

一种基于SiGe BiCMOS工艺的ECL触发器，其特征在于含有：时钟高电平锁存电路单元LATCH1，包括：晶体管MQ1、晶体管MQ2、晶体管MQ3、晶体管MQ4、晶体管MQ5、晶体管MQ6、晶体管MQ13、电阻MR1、电阻MR2、电感L1、电感L2；其中，MQ1的基极接数字反相端DN，MQ2的基极接数字同相端DP，MQ5的基极接时钟反相端CLKN，MQ6的基极接时钟同相端CLKP，MQ13的基极接偏置电压端VB，MQ13的发射极接地端GND，L1的正端接电源端VDD，电感L2的正端接电源端VDD，MQ1的发射极、MQ2的发射极、MQ5的集电极连接在一起，MQ3的发射极、MQ4的发射极、MQ6的集电极连接在一起，MQ5的发射极、MQ6的发射极、MQ13的集电极连接在一起；MQ1的集电极、MQ3的基极、MQ4的集电极、电阻MR1的负端连接在一起，连接点为X，MQ2的集电极、MQ4的基极、MQ3的集电极、电阻MR2的负端连接在一起，连接点为Y，L1的负端接MR1的正端，L2的负端接MR2的正端；和时钟低电平锁存电路单元LATCH2，包括：晶体管MQ7、晶体管MQ8、晶体管MQ9、晶体管MQ10、晶体管MQ11、晶体管MQ12、晶体管MQ14、电阻MR3、电阻MR4、电感L3、电感L4；其中，MQ7的基极接节点Y，MQ8的基极接节点X；MQ11的基极接时钟同相端CLKP，MQ12的基极接时钟反相端CLKN；MQ14的基极接偏置电压端VB；MQ14的发射极接地端GND；电感L3的正端接电源端VDD，L4的正端接电源端VDD，MQ7的发射极、MQ8的发射极、MQ11的集电极连接在一起；MQ9的发射极、MQ10的发射极、MQ12的集电极连接在一起，MQ11的发射极、MQ12的发射极、MQ14的集电极连接在一起，MQ7的集电极、MQ10的基极、MQ9的集电极、电阻MR3的负端连接在一起，与输出正端OUTP相接，MQ8的集电极、MQ9的基极、MQ10的集电极、电阻MR4的负端连接在一起，与输出负端OUTN相接，L3的负端接MR3的正端，L4的负端接MR4的正端。