[发明专利]一种AgI基无机-有机杂化半导体材料的合成及光催化降解染料的应用

摘要

一种AgI基无机-有机杂化半导体材料的合成及光催化降解有机染料的应用。本发明的目的就在于合成一种能有效催化降解甲基橙染料的无机-有机杂化半导体材料(Et₂mbt)Ag₂I₃，其中Et=乙基；mbt=2-巯基苯并噻唑。通过往无机AgI中引入含N、S元素的有机分子可以实现既保留无机AgI的性能而又降低Ag含量的目的。选择碘化银、二硫化二苯并噻唑、乙醇和氢碘酸为反应原料，在溶剂热条件下得到化合物(Et₂mbt)Ag₂I₃的单晶。可利用其优良的光催化性能用于生活以及工业污水中甲基橙污染物的降解，也可利用其半导体性能用于半导体器件制作。

主权项

一种能有效催化降解甲基橙染料的AgI基无机‑有机杂化半导体材料(Et₂mbt)Ag₂I₃，（Et = 乙基；mbt = 2‑巯基苯并噻唑），其特征在于：该化合物为三斜晶系，结晶于空间群P‑1，单胞参数为a = 8.18(1) Å, b = 9.63(1) Å, c = 12.54(1) Å,α= 104.63(1) º,β = 101.71(1) º γ = 91.51(1) º, Z = 8, V = 932.99(9)。