[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201410525061.X 申请日: 2014-10-08
公开(公告)号: CN104577949B 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 上甲基信 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H02H3/04 分类号: H02H3/04
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置,能够保留与是否发生了作为检测对象的特定异常现象相关的履历,并能够对错误实施适当的对策。在外部端子(P1)、外部端子(P3)间串联地插入作为异常履历设定部的熔断器(13)、电阻(R2)以及晶体管(Q2)。晶体管(Q2)在基极从异常检测电路(14)接收特定异常检测信号(S14)。特定异常检测信号(S14)在发生多种异常现象中的作为检测对象的特定异常现象时,变为“H”电平以使晶体管(Q2)成为导通状态。异常履历设定部通过使晶体管(Q2)成为导通状态,从而执行异常履历动作,该异常履历动作是指使超过断线水平的电流流过设置在外部端子(P1)、外部端子(P3)间的熔断器(13),使熔断器(13)断线。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其具备:第1外部电源端子,其被提供电源电压;第2外部电源端子,其被设定为基准电位;异常检测电路,其执行输出特定异常检测信号的异常检测动作,其中,该特定异常检测信号用于指示作为检测对象的特定异常现象的有无;以及异常履历设定部,其具备设置在所述第1以及第2外部电源端子间的熔断器,该异常履历设定部在所述特定异常检测信号指示发生了所述特定异常现象时,执行异常履历动作,该异常履历动作是指使所述熔断器中流过电流并使所述熔断器断线,所述半导体装置在所述异常履历设定部执行所述异常履历动作之后除了所述异常履历设定部以外都能够继续使用。
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