[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，能够保留与是否发生了作为检测对象的特定异常现象相关的履历，并能够对错误实施适当的对策。在外部端子(P1)、外部端子(P3)间串联地插入作为异常履历设定部的熔断器(13)、电阻(R2)以及晶体管(Q2)。晶体管(Q2)在基极从异常检测电路(14)接收特定异常检测信号(S14)。特定异常检测信号(S14)在发生多种异常现象中的作为检测对象的特定异常现象时，变为“H”电平以使晶体管(Q2)成为导通状态。异常履历设定部通过使晶体管(Q2)成为导通状态，从而执行异常履历动作，该异常履历动作是指使超过断线水平的电流流过设置在外部端子(P1)、外部端子(P3)间的熔断器(13)，使熔断器(13)断线。

技术领域

本发明涉及IPM(Intelligent Power Module)等半导体装置，特别是涉及具备异常现象发生履历功能的半导体装置。

背景技术

现有的IPM等半导体装置，通常具备断路保护功能，即，在产生高温、产生电流过剩等异常(错误)时，为了保护搭载有IGBT(Insulated Gate Bipolor Transistor)等半导体元件的功率芯片，而将作为保护对象的半导体元件断路(成为截止状态)，并且向外部输出错误信号。作为具备这样的断路保护功能的半导体装置，例如具有在专利文献1中公开的IPM。

专利文献1：日本特开2003-88093号公报

在具备断路保护功能的现有的IPM中，虽然将作为保护对象的半导体元件断路，并将错误信号向外部输出，但由于未保留与是否发生了作为IPM断路原因的异常现象相关的履历，因此在发生各种异常现象等问题而将IPM断路后，很难探明其原因。即，现有的具备断路保护功能的IPM存在如下问题，即，由于无法识别半导体元件的断路原因，所以无法在断路后对错误采取适当的对策。

另外，现有的半导体装置的断路保护功能通常是在超过某个固定的规定等级的时刻，一律进行断路保护动作。即，不判断作为断路原因的异常现象是应注意的等级、还是致命错误等级，就将作为保护对象的半导体元件断路，因此存在对于用户而言使用性差的问题。

发明内容

本发明就是为了消除如上所述的问题而提出的，目的在于获得一种半导体装置，该半导体装置能够保留与是否发生了作为检测对象的特定异常现象相关的履历，并能够对错误实施适当的对策。

本发明所涉及的技术方案1所述的半导体装置具备：第1外部电源端子，其被提供电源电压；第2外部电源端子，其被设定为基准电位；异常检测电路，其执行输出特定异常检测信号的异常检测动作，其中，该特定异常检测信号用于指示作为检测对象的特定异常现象的有无；以及异常履历设定部，其具备设置在所述第1以及第2外部电源端子间的熔断器，该异常履历设定部在所述特定异常检测信号指示发生了所述特定异常现象时，执行异常履历动作，该异常履历动作是指使所述熔断器中流过电流并使所述熔断器断线。

发明的效果

技术方案1所述的本申请发明中的半导体装置能够根据因异常履历设定部的异常履历动作引起的熔断器(fuse)的断线的有无，识别与是否发生了作为检测对象的特定异常现象相关的履历。其结果，能够迅速进行特定异常现象发生后的解析、对策，因此，能够通过一边对错误实施适当的对策一边使用半导体装置，从而实现装置的长寿命化。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1即IPM的异常履历设定部等的电路图。

图2是表示本发明的实施方式2即IPM的异常履历设定部等的电路图。

图3是表示本发明的实施方式3即IPM的异常履历设定部等的电路图。

图4是示意性表示利用IGBT断路信号实现的保护对象IGBT的断路控制系统的说明图。

图5是表示本发明的实施方式4即IPM的异常履历设定部等的电路图。