[发明专利]悬浮集电极PNP集成电路晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201410522919.7 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105529361B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 唐敏杰;程学农;韦林军;季晓红 | 申请（专利权）人： | 无锡华润矽科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种悬浮集电极PNP集成电路晶体管及其制作方法。在P型衬底上方依次形成有N型的第一外延层与第二外延层；P型衬底中布置有N型埋层，N型埋层上方的第一外延层和第二外延层中依次设有集电极P型埋层和集电极上隔离；N型埋层四周上方的第一外延层和第二外延层中依次设有P型下隔离和P型上隔离；第一P+扩散区设在集电极上隔离中，作为集电极；N+扩散区设在集电极上隔离和集电极P型埋层共同围起来的第二外延层中，作为基极；第二P+扩散区设在N+扩散区围起来的第二外延层中，作为发射极。本发明能降低集电极串联电阻和饱和压降，提高电流输出能力。 | ||
| 搜索关键词： | 悬浮 集电极 pnp 集成电路 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种悬浮集电极PNP集成电路晶体管，包括P型衬底、集电极、与所述集电极间隔的基极及与所述基极间隔的发射极；其特征是：在所述P型衬底上方依次形成有第一外延层与第二外延层；所述P型衬底中设有N型埋层，所述N型埋层上方的所述第一外延层和第二外延层中依次设有集电极P型埋层和集电极上隔离；所述N型埋层四周上方的所述第一外延层和第二外延层中依次设有P型下隔离和P型上隔离；第一P+扩散区设在所述集电极上隔离中，作为集电极；N+扩散区设在所述集电极上隔离和所述集电极P型埋层共同围起来的所述第二外延层中，呈环状分布，作为基极；第二P+扩散区设在所述N+扩散区围起来的所述第二外延层中，作为发射极，所述第一外延层与所述第二外延层有相同的电阻率，所述第一外延层的厚度薄于所述第二外延层的厚度。
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