[发明专利]悬浮集电极PNP集成电路晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种悬浮集电极PNP集成电路晶体管，包括P型衬底、集电极、与所述集电极间隔的基极及与所述基极间隔的发射极；其特征是：在所述P型衬底上方依次形成有第一外延层与第二外延层；所述P型衬底中设有N型埋层，所述N型埋层上方的所述第一外延层和第二外延层中依次设有集电极P型埋层和集电极上隔离；所述N型埋层四周上方的所述第一外延层和第二外延层中依次设有P型下隔离和P型上隔离；

第一P+扩散区设在所述集电极上隔离中，作为集电极；

N+扩散区设在所述集电极上隔离和所述集电极P型埋层共同围起来的所述第二外延层中，呈环状分布，作为基极；

第二P+扩散区设在所述N+扩散区围起来的所述第二外延层中，作为发射极，

所述第一外延层与所述第二外延层有相同的电阻率，所述第一外延层的厚度薄于所述第二外延层的厚度。

2.按照权利要求1所述的悬浮集电极PNP集成电路晶体管，其特征是：所述第一外延层的厚度是所述第二外延层的厚度的一半。

3.按照权利要求1所述的悬浮集电极PNP集成电路晶体管，其特征是：所述第一P+扩散区、所述N+扩散区及所述第二P+扩散区上分别布置有接触孔。

4.一种如权利要求1所述的悬浮集电极PNP集成电路晶体管的制作方法，其特征是，包括以下步骤：

提供P型衬底，在P型衬底上形成N型埋层；

在P型衬底上形成第一外延层；

形成P型埋层，P型埋层分为两部分：一部分形成在N型埋层四周上方的第一外延层中，作为P型下隔离；另一部分形成在N型埋层上方的第一外延层中，作为集电极P型埋层；

在第一外延层上形成第二外延层，在第二外延层中形成有P型上隔离和集电极上隔离；

在第二外延层中形成第一P+扩散区与第二P+扩散区，作为发射极和集电极；

在第二外延层中形成N+扩散区，作为基极。

5.按照权利要求4所述的悬浮集电极PNP集成电路晶体管的制作方法，其特征是：在所述第一P+扩散区、所述第二P+扩散区和所述N+扩散区上分别制作接触孔。