[发明专利]一种用于测试湿法刻蚀后方阻的网版在审
| 申请号： | 201410521712.8 | 申请日： | 2014-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN105529378A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 孙从涛;赵桂梅 | 申请（专利权）人： | 浙江鸿禧能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B41F15/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314205 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于测试湿法刻蚀后方阻的网版，采用的技术解决方案是在电池片的正表面（即主栅线）上设置若干个镂空部分，并涂覆感光胶，使蜡不能透过网版，其特征在于所述的镂空部分程对称分布在正表面，设置在栅线上或不在栅线上，其数量为5～9个；所述的镂空部分形状为圆形、四边形或椭圆形；所述镂空部分的尺寸为（5～15）mm*（5～15）mm。本发明的有益效果是通过在主栅线上设计若干个镂空部分，并涂覆感光胶使用后，能够更准确地测试刻蚀后的方阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 测试 湿法 刻蚀 后方 | ||
【主权项】：
一种用于测试湿法刻蚀后方阻的网版，其特征在于：在电池片的正表面（即主栅线）上设置若干个镂空部分，并涂覆感光胶，使蜡不能透过网版。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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