[发明专利]一种用于测试湿法刻蚀后方阻的网版

说明书

技术领域

本发明涉及晶硅太阳能电池片制备领域，具体地涉及一种用于测试湿法刻蚀后方阻的网版。

背景技术

在晶硅太阳能电池片的选择性发射极（SE）制备工艺中，在湿法刻蚀（SPH）工序后需要测试硅片的方阻。目前，测试SPH后方阻的方法主要有两种：一是用经过喷蜡的电池片进行SPH处理后测方阻，由于当电池片通过SPH后，蜡被洗掉而致使其印记也看不清楚，同时为了提高电池片效率，栅线数目越做越多，测试栅线间的方阻时，不能准确的将探针放在栅线之间而导致这样测出的方阻不准确；二是直接用扩散后的未喷蜡的硅片直接进行SPH处理，然后进行方阻测试，这样测试出来的方阻和喷过蜡的电池片的方阻是有差异的，不能够准确的测试出SPH后的方阻。

发明内容

本发明的目的提供一种用于测试湿法刻蚀后方阻的网版，能够准确地测试刻蚀后的方阻。

本发明采用的技术解决方案是：在电池片的正表面（即主栅线）上设置若干个镂空部分，并涂覆感光胶，使蜡不能透过网版，其特征在于所述的镂空部分程对称分布在正表面，设置在栅线上或不在栅线上，其数量为5～9个；所述的镂空部分形状为圆形、四边形或椭圆形；所述镂空部分的尺寸为（5～15）mm*（5～15）mm。

本发明的有益效果是通过在主栅线上设计若干个镂空部分，并涂覆感光胶使用后，能够更准确地测试刻蚀后的方阻。

附图说明

图1本发明提供的用于测试湿法刻蚀后方阻的网版结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图1对本发明提供的技术方案作进一步详细说明。

在本具体实施方式中以三主栅为例，在主栅线上设置9个正方形的镂空部分，涂覆上感光胶，防止蜡透过网版；每条主栅线上设置3个正方形，且相邻两个正方形之间的距离相等，这样印刷出来的硅片上既有正电极图形，又有裸硅片可以准确地测试刻蚀后的方阻。