[发明专利]固体摄像装置、固体摄像装置制造方法和电子设备有效
申请号: | 201410520764.3 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104517984B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 原沢正规;关勇一;狭山征博 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本技术提供了能够保持焦点检测的精度且抑制图像的图像质量劣化的固体摄像装置、固体摄像装置制造方法和电子设备。该固体摄像装置包括多个像素,所述多个像素包括用于生成摄取图像的摄像像素和用于检测焦点的焦点检测像素。在该固体摄像装置中,所述焦点检测像素包括:微透镜;接收从所述微透镜入射的光的光电转换部;遮挡入射到所述光电转换部上的光的一部分的遮光部;以及调暗入射到所述光电转换部上的光并且被形成为含有黑色颜料的调暗滤光片。本技术能够被应用于例如CMOS图像传感器。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
一种固体摄像装置,其包括:多个像素,所述多个像素包括用于生成摄取图像的摄像像素和用于检测焦点的焦点检测像素,其中所述焦点检测像素包括:微透镜;光电转换部,所述光电转换部接收从所述微透镜入射的光;遮光部,所述遮光部遮挡入射到所述光电转换部上的光的一部分;以及调暗滤光片,所述调暗滤光片调暗入射到所述光电转换部上的光,并且被形成为含有黑色颜料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的