[发明专利]固体摄像装置、固体摄像装置制造方法和电子设备有效
申请号: | 201410520764.3 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104517984B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 原沢正规;关勇一;狭山征博 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
本技术提供了能够保持焦点检测的精度且抑制图像的图像质量劣化的固体摄像装置、固体摄像装置制造方法和电子设备。该固体摄像装置包括多个像素,所述多个像素包括用于生成摄取图像的摄像像素和用于检测焦点的焦点检测像素。在该固体摄像装置中,所述焦点检测像素包括:微透镜;接收从所述微透镜入射的光的光电转换部;遮挡入射到所述光电转换部上的光的一部分的遮光部;以及调暗入射到所述光电转换部上的光并且被形成为含有黑色颜料的调暗滤光片。本技术能够被应用于例如CMOS图像传感器。
技术领域
本技术涉及固体摄像装置、固体摄像装置制造方法和电子设备,且更具体地,涉及能够保持焦点检测的精度且抑制图像的图像质量劣化的固体摄像装置、固体摄像装置制造方法和电子设备。
背景技术
作为固体摄像装置中的用于检测焦点的方法,已经使用了所谓的瞳孔分割型(split-pupil type)相位差焦点检测方法,在该方法中,焦点检测像素生成与由穿过光学系统的一对光束形成的图像对应的一对图像信号,并且基于这一对所生成的图像信号的偏差量来检测焦点。
然而,因为被设置于像素区中的摄像像素和焦点检测像素具有不同的结构,所以当它们被曝光相同的曝光时间时,可能会使焦点检测像素的输出饱和。因此,在某些情况下,焦点检测的精度严重降低。
此外,在焦点检测像素中,必须在光路上使用金属等来形成遮光膜以便将图像信号分割为两个;然而,存在如下的可能性:因入射光被遮光膜反射以及入射光漏入到邻接的摄像像素中而造成的混色会使颜色再现性降低。
相比之下,已经提议了把摄像像素中所使用的分色滤光片形成于焦点检测像素中或者把半反射镜构件设置于焦点检测像素中(例如,参照日本未经审查的专利申请公开案第2010-129783号)。
然而,当把分色滤光片形成于焦点检测像素中时,有可能发生的是:焦点检测所必需的光量被减少了,从而导致焦点检测的精度降低。此外,当把半反射镜构件设置于焦点检测像素中时,有可能发生的是:由于入射光的不规则反射而出现重影(ghosting),从而导致图像的图像质量的劣化。
发明内容
目前所期望的是能够保持焦点检测的精度并且能够抑制图像的图像质量的劣化。
本技术的一个实施例提供了一种固体摄像装置,其包括多个像素,所述多个像素包括用于生成摄取图像的摄像像素和用于检测焦点的焦点检测像素。在所述固体摄像装置中,所述焦点检测像素包括:微透镜;接收从所述微透镜入射的光的光电转换部;遮挡入射到所述光电转换部上的光的一部分的遮光部;以及调暗入射到所述光电转换部上的光并且被形成为含有黑色颜料的调暗滤光片。
在所述固体摄像装置中,所述黑色颜料可以含有碳黑。
在所述固体摄像装置中,所述黑色颜料可以含有钛黑。
在所述固体摄像装置中,所述调暗滤光片的折射率可以大约是1.5至2.0。
在所述固体摄像装置中,所述调暗滤光片在可见光的波长带域内的透过率可以大约是5%至95%。
在所述固体摄像装置中,所述调暗滤光片的膜厚度可以大约是200nm至1200nm。
本技术的另一个实施例提供了一种固体摄像装置制造方法,所述固体摄像装置包括多个像素,所述多个像素包括用于生成摄取图像的摄像像素和用于检测焦点的焦点检测像素,并且在所述固体摄像装置中所述焦点检测像素包括:微透镜;接收从所述微透镜入射的光的光电转换部;遮挡入射到所述光电转换部上的光的一部分的遮光部;以及调暗入射到所述光电转换部上的光的调暗滤光片。所述方法包括:用含有黑色颜料的树脂形成所述调暗滤光片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的