[发明专利]一种掺杂超晶格结构的黄绿光LED及其生产工艺

摘要

一种掺杂超晶格结构的黄绿光LED及其生产工艺，属于光电子技术领域，在衬底上依次生长GaAs缓冲层、布拉格反射层、N型限制层、周期性的有源层、P-AlInP限制层和GaP窗口层；在生长周期性的有源层时，以Al_XGa_(1-X)InP/Al_YGa_(1-Y)InP为材料，掺以同种导电类型杂质，生长超晶格结构的有源层。制成的产品可较大地改善传统结构的内量子效率低的问题，提高有源区的空穴注入，提升电子空穴复合效率，从而较大地提高产品光效，其亮度较传统结构可提升40%～60%，因此，本发明能够大量生产发光波长560～580nm范围的高效率的黄绿光波段的LED。

主权项

一种掺杂超晶格结构的黄绿光LED，包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、布拉格反射层、N型限制层、有源层、P型限制层以及GaP窗口层，其特征在于，有源层为掺杂同种导电类型杂质的Al_XGa_(1‑X)InP/Al_YGa_(1‑Y)InP掺杂超晶格结构层，其中，0.2<X<0.4，0.5<Y<1。