[发明专利]一种掺杂超晶格结构的黄绿光LED及其生产工艺

权利要求书

1.一种掺杂超晶格结构的黄绿光LED，包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、布拉格反射层、N型限制层、有源层、P型限制层以及GaP窗口层，其特征在于，有源层为掺杂同种导电类型杂质的Al_XGa_(1-X)InP/Al_YGa_(1-Y)InP掺杂超晶格结构层，其中，0.2<X<0.4，0.5<Y<1。

2.根据权利要求1所述的掺杂超晶格结构的黄绿光LED，其特征在于：在所述掺杂超晶格结构层和P型限制层之间设置非掺杂有源层。

3.根据权利要求1或2所述的掺杂超晶格结构的黄绿光LED，其特征在于：所述掺杂元素为Zn或Mg，掺杂浓度1E16-1E17。

4.根据权利要求1或2所述的掺杂超晶格结构的黄绿光LED，其特征在于：0.3≤X≤0.35，0.6≤Y≤0.7。

5.根据权利要求1或2所述的掺杂超晶格结构的黄绿光LED，其特征在于：所述掺杂超晶格结构层的周期厚度为1nm～15nm，超晶格周期对数为2～120对。

6.如权利要求1所述的掺杂超晶格结构的黄绿光LED的生产方法，包括以下步骤：

1) 将N-GaAs衬底置于MOCVD反应腔体内，加热至600℃～700℃，去除衬底表面氧化层，并生长GaAs缓冲层；

2) 在GaAs 缓冲层上生长一层布拉格反射层；

3)在布拉格反射层上生长N型限制层；

4)在N型限制层上生长周期性的有源层；

5)有源层上生长P-AlInP限制层；

6) P-AlInP限制层上生长GaP窗口层；

其特征在于：在所述步骤4）中，以Al_XGa_(1-X)InP/Al_YGa_(1-Y)InP为材料，掺以同种导电类型杂质，生长超晶格结构的有源层，其中，0.2<X<0.4，0.5<Y<1。

7.如权利要求6所述的掺杂超晶格结构的黄绿光LED的生产方法，其特征在于：在生长P-AlInP限制层之前，以Al_XGa_(1-X)InP/Al_YGa_(1-Y)InP为材料，进行非掺杂有源层生长，其中，0.2<X<0.4，0.5<Y<1。

8.如权利要求6所述的掺杂超晶格结构的黄绿光LED的生产方法，其特征在于：所述掺杂元素为Zn或Mg，掺杂浓度1E16-1E17。

9.如权利要求6或7所述的掺杂超晶格结构的黄绿光LED的生产方法，其特征在于：0.3≤X≤0.35，0.6≤Y≤0.7。

10.如权利要求6所述的掺杂超晶格结构的黄绿光LED的生产方法，其特征在于：生长的掺杂的超晶格结构的有源层的周期厚度为1nm～15nm，超晶格周期对数为2～120对。