[发明专利]实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法无效
| 申请号： | 201410516442.1 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104317166A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡利康;彭劲松;高建峰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种通过扫描式光刻机实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法,包括：1）Si片校准扫描式光刻机焦平面参数；2）在GaAs外延片表面生长一层介质；3）生长介质的GaAs外延片校准扫描式光刻机的焦平面参数；4）GaAs圆片进行表面处理；5）用经过表面处理的GaAs圆片涂胶，曝光深紫外图形，显影。优点：通过标准硅片校准扫描式光刻机的焦平面，达到设计的理想状态，可改善外延片表面光学特性和外延片的表面形貌。可以使得砷化镓圆片在光刻机上得到稳定的焦平面参数，从而使得光刻机达到理想的砷化镓DUV曝光状态。同时，我们在砷化镓圆片DUV曝光前，对圆片进行表面处理可以有效改善砷化镓DUV光刻形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 稳定 gaas 深紫 图形 光刻 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种通过扫描式光刻机实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法, 其特征是该方法包括以下步骤：1）Si片校准扫描式光刻机焦平面参数；2）在GaAs外延片表面生长一层介质；3）生长介质的GaAs外延片校准扫描式光刻机的焦平面参数；4）GaAs圆片进行表面处理；5）用经过表面处理的GaAs圆片涂胶，曝光深紫外图形，显影。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410516442.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
