[发明专利]实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法无效
| 申请号： | 201410516442.1 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104317166A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡利康;彭劲松;高建峰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 实现 稳定 gaas 深紫 图形 光刻 工艺 方法 | ||
1.一种通过扫描式光刻机实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法, 其特征是该方法包括以下步骤：
1）Si片校准扫描式光刻机焦平面参数；
2）在GaAs外延片表面生长一层介质；
3）生长介质的GaAs外延片校准扫描式光刻机的焦平面参数；
4）GaAs圆片进行表面处理；
5）用经过表面处理的GaAs圆片涂胶，曝光深紫外图形，显影。
2.根据权利要求1所述的通过扫描式光刻机实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法，其特征是所述的光刻机是扫描式光刻机，圆片表面形貌和光学特性严重影响光刻机的光刻结果，扫描式光刻机主要应用于150nm以下线宽的图形光刻。
3.根据权利要求1所述的通过扫描式光刻机实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法，其特征是所述的GaAs DUV光刻图形的线宽是150nm以下。
4.根据权利要求1所述的通过扫描式光刻机实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法，其特征是所述的步骤1)采用标准的Si片校准扫描式光刻机的焦平面，达到光刻Si DUV图形要求。
5.根据权利要求1所述的通过扫描式光刻机实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法，其特征是所述在GaAs外延片表面生长介质为SiNX，介质厚度为10-100nm，优化值为20-40nm。
6.根据权利要求1所述的通过扫描式光刻机实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法，其特征是所述在GaAs外延片表面生长介质，作为防反层改善GaAs外延片表面的光学均匀性，同时可以改善GaAs外延片表面的平整度。
7.根据权利要求1所述的通过扫描式光刻机实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法，其特征是所述采用表面生长介质的GaAs外延片校准扫描式光刻机的焦平面，达到光刻GaAs DUV图形要求。
8.根据权利要求1所述的通过扫描式光刻机实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法，其特征是所述的表面处理包括丙酮超声、盐酸和打胶处理，或根据工艺要求组合使用。
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