[发明专利]一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法

摘要

本发明提供了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，所述场效应管的制作方法包括：提供第一导电类型衬底；在衬底上方生长具有第一导电类型的第一外延层；在第一外延层上方形成交替相间的第一导电类型柱区和第二导电类型柱区；在第一导电类型柱区上方形成具有第一导电类型的第三外延层，以及在第二导电类型柱区上方形成第二导电类型阱区；在第三外延层表面形成栅极区；在第二导电类型阱区内形成第一导电类型源区；形成栅极金属层、源极金属层和漏极金属层。本发明通过增加第一外延层和在第二外延层中形成的交替相间的第一导电类型柱区和第二导电类型柱区，大大降低了导通电阻。

主权项

一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一导电类型衬底；在所述第一导电类型衬底上方形成第一外延层，所述第一外延层的导电类型为第一导电类型，所述第一外延层具有第一电阻率；在所述第一外延层上方形成交替相间的第一导电类型柱区和第二导电类型柱区，所述第二导电类型柱区位于所述第一导电类型柱区的两侧，所述第一导电类型柱区具有第二电阻率，所述第二电阻率小于所述第一电阻率；在所述第一导电类型柱区上方形成第三外延层，所述第三外延层的导电类型为第一导电类型，所述第三外延层具有第三电阻率，以及在所述第二导电类型柱区上方形成第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区与所述第二导电类型柱区相连，所述第三电阻率等于所述第二电阻率；在所述第三外延层上表面形成栅极区；在所述第二导电类型阱区内形成第一导电类型源区；在所述栅极区上方形成栅极金属层，在所述第一导电类型源区上方形成源极金属层，在所述第一导电类型衬底下方形成漏极金属层。