[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其能够实现电场集中的缓和的超级结结构。该半导体装置具有第1导电类型的半导体区，其形成于元件区和外周区；第2导电类型的多个柱状区，它们在外周区的半导体区中形成为包围元件区的环状；第2导电类型的多个场限制区，它们与至少一部分的柱状区的上部分别连接并配置于外周区的半导体区的上表面；绝缘膜，其覆盖场限制区并配置于外周区的半导体区上；以及连接场板电极，其通过形成于绝缘膜的开口部与从元件区与外周区之间的边界朝外周区的外缘相邻配置的一对场限制区中的边界侧的场限制区接触，并且经由绝缘膜到达一对场限制区中的外缘侧的场限制区。

主权项

一种半导体装置，其具有形成了半导体元件的元件区和配置于所述元件区的周围的外周区，该半导体装置的特征在于，具有：第1导电类型的半导体区，其形成于所述元件区和所述外周区；第2导电类型的多个柱状区，它们在所述外周区的所述半导体区中形成为包围所述元件区的环状；第2导电类型的多个场限制区，它们与至少一部分的所述柱状区的上部分别连接，且配置于所述外周区的所述半导体区的上表面；绝缘膜，其覆盖所述场限制区而配置于所述外周区的所述半导体区上；以及第1连接场板电极，其通过形成于所述绝缘膜的开口部与从所述元件区与所述外周区之间的边界朝所述外周区的外缘相邻配置的一对所述场限制区中的所述边界侧的场限制区接触，并且经由所述绝缘膜到达所述一对所述场限制区中的所述外缘侧的场限制区；以及第2连接场板电极，其通过形成于所述绝缘膜的开口部与所述外缘侧的场限制区接触，并且经由所述绝缘膜到达相比所述外缘侧的场限制区更靠所述外缘侧的场限制区。