[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201410514099.7 | 申请日: | 2014-09-29 |
公开(公告)号: | CN104518007B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 高桥良治 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/40 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其具有形成了半导体元件的元件区和配置于所述元件区的周围的外周区,该半导体装置的特征在于,具有:
第1导电类型的半导体区,其形成于所述元件区和所述外周区;
第2导电类型的多个柱状区,它们在所述外周区的所述半导体区中形成为包围所述元件区的环状;
第2导电类型的多个场限制区,它们与至少一部分的所述柱状区的上部分别连接,且配置于所述外周区的所述半导体区的上表面;
绝缘膜,其覆盖所述场限制区而配置于所述外周区的所述半导体区上;以及
第1连接场板电极,其通过形成于所述绝缘膜的开口部与从所述元件区与所述外周区之间的边界朝所述外周区的外缘相邻配置的一对所述场限制区中的所述边界侧的场限制区接触,并且经由所述绝缘膜到达所述一对所述场限制区中的所述外缘侧的场限制区;以及
第2连接场板电极,其通过形成于所述绝缘膜的开口部与所述外缘侧的场限制区接触,并且经由所述绝缘膜到达相比所述外缘侧的场限制区更靠所述外缘侧的场限制区。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
该半导体装置还具有外周场板电极,该外周场板电极与最接近所述外缘的所述场限制区连接,
就从所述边界起的所述外缘方向上的长度而言,所述外周场板电极比所述第1连接场板电极和所述第2连接场板电极长。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
最接近所述元件区的所述场限制区与在所述元件区形成的所述半导体元件的主电极电连接。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,
一部分的所述柱状区未与所述场限制区连接。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,
与所述场限制区连接的所述柱状区和未与所述场限制区连接的所述柱状区从所述边界起朝所述外缘交替地配置。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
所述柱状区是在深度方向上连接多个团块状区而成的形状。
7.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
与所述第1连接场板电极或所述第2连接场板电极连接的所述场限制区和与所述第1连接场板电极或所述第2连接场板电极都未连接的所述场限制区混合存在于所述外周区。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,
所述第1连接场板电极和所述第2连接场板电极由多晶硅材料构成。
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