[发明专利]气相成膜装置有效
申请号: | 201410512506.0 | 申请日: | 2014-09-29 |
公开(公告)号: | CN104513968B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 须田昇;大石隆宏;米野纯次;卢柏菁;薛士雍;钟步青 | 申请(专利权)人: | 汉民科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙)11276 | 代理人: | 刘云贵 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种可以较少气体消耗量同时实现高挥发成分元素分压、较快流速以及和缓的成膜速度曲线的三要素的成膜装置。反应器构造是由圆板状晶座、基板自转公转的部件、对向于该圆板状晶座的对向面形成构件、喷射部、材料气体的导入部以及气体排气部来加以构成。基板藉由基板保持构件(Wafer Holder)加以保持,基板保持构件被保持于圆板状晶座的承受部。圆板状晶座相对其中心轴旋转,同时基板会自转。对向面形成构件由于放射状地交互形成有扇形的凹部及凸部的构造,故流道高度会在周围方向改变。因此,可以较少载体气体流量实现与以往装置的最佳条件相同的成膜质量,可让挥发成分元素的材料气体分压较以往要大幅提高。 | ||
搜索关键词: | 相成 装置 | ||
【主权项】:
一种气相成膜装置,具有承载成膜用基板的基板保持构件的圆板状晶座、让该基板自转公转的部件、对向于该基板保持构件而形成流道的对向面、材料气体的导入部及排气部的气相成膜装置,其是以该圆板状晶座与该对向面的距离会在该基板的公转方向中产生变化的方式,在该对向面施以凹凸形状,该材料气体的导入部具有圆板状的喷射器,并于其中施以与该对向面的凹凸形状对应的凹凸形状。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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