[发明专利]气相成膜装置有效
| 申请号: | 201410512506.0 | 申请日: | 2014-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN104513968B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
| 发明(设计)人: | 须田昇;大石隆宏;米野纯次;卢柏菁;薛士雍;钟步青 | 申请(专利权)人: | 汉民科技股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
| 代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙)11276 | 代理人: | 刘云贵 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 相成 装置 | ||
1.一种气相成膜装置,具有承载成膜用基板的基板保持构件的圆板状晶座、让该基板自转公转的部件、对向于该基板保持构件而形成流道的对向面、材料气体的导入部及排气部的气相成膜装置,其是以该圆板状晶座与该对向面的距离会在该基板的公转方向中产生变化的方式,在该对向面施以凹凸形状。
2.如权利要求1所述的气相成膜装置,其中该材料体的导入部具有圆板状的喷射器,并于其中施以与该对向面的凹凸形状对应的凹凸形状。
3.如权利要求1所述的气相成膜装置,其成膜方式为化学气相成长。
4.如权利要求2所述的气相成膜装置,其成膜方式为化学气相成长。
5.如权利要求1~4任一项所述的气相成膜装置,其中所生成的膜为化合物半导体膜及氧化物膜。
6.如权利要求1~4任一项所述的气相成膜装置,其中该材料气体的一部分含有有机金属。
7.如权利要求5所述的气相成膜装置,其中该材料气体的一部分含有有机金属。
8.如权利要求1~4任一项所述的气相成膜装置,其中构成该对向面及该喷射器的构件材质为不锈钢、钼等金属材料;碳、碳化硅、碳化钽等碳化物;氮化硼、氮化铝等氮化物;以及石英、氧化铝等氧化物系陶瓷的任一种,或该等同的组合。
9.如权利要求5所述的气相成膜装置,其中构成该对向面及该喷射器的构件材质为不锈钢、钼等金属材料;碳、碳化硅、碳化钽等碳化物;氮化硼、氮化铝等氮化物;以及石英、氧化铝等氧化物系陶瓷的任一种,或该等同的组合。
10.如权利要求6所述的气相成膜装置,其中构成该对向面及该喷射器的构件材质为不锈钢、钼等金属材料;碳、碳化硅、碳化钽等碳化物;氮化硼、氮化铝等氮化物;以及石英、氧化铝等氧化物系陶瓷的任一种,或该等同的组合。
11.如权利要求7所述的气相成膜装置,其中构成该对向面及该喷射器的构件材质为不锈钢、钼等金属材料;碳、碳化硅、碳化钽等碳化物;氮化硼、氮化铝等氮化物;以及石英、氧化铝等氧化物系陶瓷的任一种,或该等同的组合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汉民科技股份有限公司,未经汉民科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410512506.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





