[发明专利]一种HEMT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410509822.2 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN104465746B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 裴轶;张乃千 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/45;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吴开磊 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种HEMT器件及其制造方法。该器件包括衬底；有源区，形成于衬底上；势垒区，形成于有源区上；阻挡区，形成于势垒区上，栅极，形成于阻挡区上；低电阻区，分别形成在栅极两侧，其中低电阻区是以栅极为掩蔽，通过自对准工艺形成的，并且低电阻区具有掺杂粒子；源极和漏极，分别形成在栅极两侧的低电阻区上。通过本发明，有效地缩短了栅源距和栅漏距，降低了栅源串联电阻和栅漏串联电阻，改善了器件的高频特性。并且低电阻区形成时不需要进行精确套刻，降低了对光刻工艺套刻精度的要求，提高了器件的成品率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hemt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：衬底；有源区，形成于所述衬底上；势垒区，形成于所述有源区上；阻挡区，形成于所述势垒区上；栅极，形成于所述阻挡区上；低电阻区，分别形成在所述栅极两侧，其中，所述低电阻区是以所述栅极为掩蔽，通过自对准工艺形成的，并且所述低电阻区具有掺杂粒子，所述掺杂粒子的浓度在竖直方向的峰值位于所述低电阻区中所述阻挡区对应部分以外的与所述有源区对应的部分或与所述势垒区对应的部分；以及源极和漏极，分别形成在所述栅极两侧的低电阻区上；所述栅极的材料为难熔材料；所述阻挡区材料中一种或多种在所述栅极刻蚀时的被蚀刻速率低于所述栅极材料中的一种或多种材料被蚀刻的速率；其中，所述掺杂粒子为Si。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州能讯高能半导体有限公司，未经苏州能讯高能半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410509822.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种磷化铟基高电子迁移率晶体管结构及制备方法
- 下一篇：半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
