[发明专利]一种HEMT器件及其制造方法

权利要求书

1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：

衬底；

有源区，形成于所述衬底上；

势垒区，形成于所述有源区上；

阻挡区，形成于所述势垒区上；

栅极，形成于所述阻挡区上；

低电阻区，分别形成在所述栅极两侧，其中，所述低电阻区是以所述栅极为掩蔽，通过自对准工艺形成的，并且所述低电阻区具有掺杂粒子，所述掺杂粒子的浓度在竖直方向的峰值位于所述低电阻区中所述阻挡区对应部分以外的与所述有源区对应的部分或与所述势垒区对应的部分；以及

源极和漏极，分别形成在所述栅极两侧的低电阻区上；

所述栅极的材料为难熔材料；

所述阻挡区材料中一种或多种在所述栅极刻蚀时的被蚀刻速率低于所述栅极材料中的一种或多种材料被蚀刻的速率；

其中，所述掺杂粒子为Si。

2.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述低电阻区的朝向栅极侧的表面低于所述阻挡区的朝向栅极侧的表面。

3.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件还包括栅极侧墙，形成于所述栅极两侧或形成于所述栅极两侧及所述栅极上。

4.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件还包括栅介质，形成于所述阻挡区和所述栅极之间。

5.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述势垒区为与所述有源区的材料形成异质结的半导体材料层；或者为

半导体材料与形成于其上的绝缘材料的叠层。

6.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件还包括缓冲层，形成于所述衬底和所述有源区之间，用于降低衬底和有源区之间的晶格失配。

7.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述难熔材料选自以下组中的一种或多种：钨、钼、钽、钛和铬；或者为

所述组中的材料的氮化物；或者为

所述组中的材料的合金；或者为

所述组中材料的叠层；或者为

所述组中的材料或所述组中的材料的氮化物或所述组中的材料的合金的叠层；或者为

所述组中的材料或所述组中的材料的氮化物或所述组中的材料的合金或绝缘材料的叠层。

8.根据权利要求1所述的HEMT器件，所述阻挡区包括：

抗蚀刻区，形成于所述势垒区上，用于减少刻蚀对所述势垒层造成的刻蚀损伤；

第一介质区，形成于所述抗蚀刻区上；

所述抗蚀刻区材料的被蚀刻速率优选的低于所述栅极材料中的一种或多种材料被蚀刻的速率；

所述第一介质区的材料为绝缘材料。

9.根据权利要求3所述的HEMT器件，所述栅极侧墙在栅源和栅漏方向的宽度进行调节，且栅漏一侧栅极侧墙的宽度不小于栅源一侧栅极侧墙的宽度。

10.一种制造HEMT器件的方法，其特征在于，包括步骤：

S1、在衬底上形成有源层；

S2、在所述有源层上形成势垒层；

S3、在所述势垒层上形成阻挡层；

S4、在所述阻挡层上形成栅极；

S5、以所述栅极为掩蔽，通过自对准工艺在所述栅极两侧形成低电阻区并且形成阻挡区、有源区和势垒区，其中所述低电阻区具有掺杂粒子；以及

S6、在所述栅极两侧的低电阻区分别形成源极和漏极；

其中，所述栅极的材料为难熔材料；

所述阻挡区材料中一种或多种在所述栅极刻蚀时的被蚀刻速率低于所述栅极材料中的一种或多种材料被蚀刻的速率；

其中，所述掺杂粒子的浓度在竖直方向的峰值位于所述低电阻区中所述阻挡区对应部分以外的与所述有源区对应的部分或与所述势垒区对应的部分；

其中，所述掺杂粒子为Si。