[发明专利]一种用于大数值孔径的极紫外光刻掩模结构

摘要

本发明涉及一种用于大数值孔径的极紫外光刻掩模结构，由下至上依次包括：掩模基底；极紫外多层高反射薄膜；帽层；所述极紫外多层高反射薄膜的顶部设有用来填充吸收层的缺陷，在该缺陷内填充有所述吸收层；所述吸收层的顶部与所述极紫外多层高反射薄膜的顶部高度相同；所述吸收层的图形结构用来携带光刻掩模结构的图案信息。不同于传统反射式掩模结构，该掩模结构的反射区和吸收区位于同一平面内,属于二维结构。曝光图形由吸收区构成，吸收区包括吸收层和抗反射层两部分，均沉积于刻蚀后的多层膜中。该结构能够完全消除掩模阴影效应，同时又能够较好地保护反射区多层膜结构，提高掩模对比度及结构稳定性。

主权项

一种用于大数值孔径的极紫外光刻掩模结构，由下至上依次包括：掩模基底；极紫外多层高反射薄膜；帽层；其特征在于，所述极紫外多层高反射薄膜的顶部设有用来填充吸收层的缺陷，在该缺陷内填充有所述吸收层；所述吸收层的顶部与所述极紫外多层高反射薄膜的顶部高度相同；所述吸收层的图形结构用来携带光刻掩模结构的图案信息。