[发明专利]一种用于大数值孔径的极紫外光刻掩模结构

权利要求书

1.一种用于大数值孔径的极紫外光刻掩模结构，由下至上依次包括：掩模基底；极紫外多层高反射薄膜；帽层；

其特征在于，

所述极紫外多层高反射薄膜的顶部设有用来填充吸收层的缺陷，在该缺陷内填充有所述吸收层；所述吸收层的顶部与所述极紫外多层高反射薄膜的顶部高度相同；

所述吸收层的图形结构用来携带光刻掩模结构的图案信息。

2.根据权利要求1所述的用于大数值孔径的极紫外光刻掩模结构，其特征在于，所述缺陷的深度为40～70nm。

3.根据权利要求1所述的用于大数值孔径的极紫外光刻掩模结构，其特征在于，所述吸收层的材料为Cr或TaN。

4.根据权利要求1所述的用于大数值孔径的极紫外光刻掩模结构，其特征在于，所述吸收层的上方还设有抗反射层，其厚度与所述帽层相同；该抗反射层用来减小极紫外光源中的其他光谱能量经掩模反射后进入系统。

5.根据权利要求1-4中的任意一项所述的用于大数值孔径的极紫外光刻掩模结构，其特征在于，所述极紫外多层高反射薄膜设有40～60个周期。