[发明专利]一种晶圆跨硅穿孔互连工艺

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆跨硅穿孔互连工艺。首先将一第一晶圆与第二晶圆键合在一起；然后通过一次刻蚀工艺将减薄过的第一硅衬底层打开，接着通过第二次刻蚀工艺将第一金属层上方的薄膜打开同时以第一金属层为阻挡层，打开第二金属层上方的薄膜，形成一使第一金属层与第二金属层均暴露的凹槽；最后于开口和凹槽填充一金属，并在金属上表面及第一硅衬底层上表面覆盖一保护层，完成晶圆三维集成。通过本方案，克服了传统晶圆三维集成中需要三次刻蚀工艺才能将同一区域不同晶圆上的电路引出从而实现电路互连的缺陷。

主权项

一种晶圆跨硅穿孔互连工艺，其特征在于，所述工艺包括：提供第一晶圆和第二晶圆，且所述第一晶圆包含有第一硅衬底层及与该第一硅衬底层层叠的第一BEOL介质层，该第一BEOL介质层中预置有第一金属层，所述第二晶圆包含有第二硅衬底层及与该第二硅衬底层层叠的第二BEOL介质层，该第二BEOL介质层中预置有第二金属层；将所述第一晶圆键合至所述第二晶圆之上，且继续对所述第一硅衬底层进行减薄工艺；继续刻蚀减薄后的部分第一硅衬底层至所述第一BEOL介质层，形成一开口；刻蚀位于所述开口底部的部分所述第一BEOL介质层至所述第二BEOL介质层中，以形成将部分所述第一金属层和部分所述第二金属层均予以暴露的凹槽；于所述凹槽中填充金属，以形成将所述第一金属层和所述第二金属层电连接的互连线。