[发明专利]制造半导体发光器件的方法有效
| 申请号： | 201410503734.1 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104518062B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 崔承奎;郭雨澈;金材宪;郑廷桓;张三硕 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;王占杰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开的是一种制造半导体发光器件的方法。制造半导体发光器件的方法包括：准备具有缺陷聚集区的生长基板；在生长基板上生长第一氮化物半导体层；在第一氮化物半导体层上生长第二氮化物半导体层；在第二氮化物半导体层上生长第三氮化物半导体层；在第三氮化物半导体层上生长活性层；以及在活性层上形成第二导电型半导体层。因此，生长在模板上的半导体层可具有优异的结晶度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体发光器件的方法，包括如下步骤：准备具有缺陷聚集区的生长基板；在生长基板上生长第一氮化物半导体层；在第一氮化物半导体层上生长第二氮化物半导体层；对第二氮化物半导体层执行热处理；在热处理后的第二氮化物半导体层上生长第三氮化物半导体层；在第三氮化物半导体层上生长活性层；以及在活性层上形成第二导电型半导体层，其中，第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层分别在第一温度和第二温度下生长，且第一温度高于第二温度。
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