[发明专利]制造半导体发光器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体发光器件的方法，包括如下步骤：

准备具有缺陷聚集区的生长基板；

在生长基板上生长第一氮化物半导体层；

在第一氮化物半导体层上生长第二氮化物半导体层；

对第二氮化物半导体层执行热处理；

在热处理后的第二氮化物半导体层上生长第三氮化物半导体层；

在第三氮化物半导体层上生长活性层；以及

在活性层上形成第二导电型半导体层，

其中，第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层分别在第一温度和第二温度下生长，且第一温度高于第二温度。

2.如权利要求1所述的方法，其中，第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层分别在第一压力和第二压力下生长。

3.如权利要求1所述的方法，其中，第一温度在1050℃至1200℃的范围内，第二温度在700℃至850℃的范围内。

4.如权利要求2所述的方法，其中，在第三压力和第三温度下执行热处理。

5.如权利要求4所述的方法，其中，第三温度为1000℃或更高。

6.如权利要求4所述的方法，其中，第一压力、第二压力和第三压力相同，第一压力在50托至300托的范围内。

7.如权利要求4所述的方法，其中，第二压力高于第一压力和第三压力，且在300托至500托的范围内。

8.如权利要求4所述的方法，其中，第三氮化物半导体层在第四压力和第四温度下生长。

9.如权利要求8所述的方法，其中，第四压力与第一压力相同，第四温度与第一温度相同。

10.如权利要求1所述的方法，其中，第一氮化物半导体层包括形成在缺陷聚集区上的凹陷。

11.如权利要求10所述的方法，其中，第二氮化物半导体层填充凹陷。

12.如权利要求11所述的方法，其中，第二氮化物半导体层在300托至500托的压力下生长，并且与第二氮化物半导体层相比，第一氮化物半导体层在较低的压力下生长。

13.如权利要求4所述的方法，其中，热处理的第二氮化物半导体层具有平坦的上表面。

14.如权利要求1所述的方法，其中，生长基板包括氮化物基板。

15.如权利要求14所述的方法，其中，氮化物基板为非极性氮化物基板或半极性氮化物基板。

16.如权利要求1所述的方法，其中，第三氮化物半导体层包含第一导电型杂质以具有第一导电型性能。

17.如权利要求1所述的方法，其中，生长第三氮化物半导体层的步骤包括在生长第二氮化物半导体层的步骤之后增大处理室的生长温度，

其中，在增大处理室的生长温度的同时对第二氮化物半导体层执行热处理。