[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201410489590.9 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104241384B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 游步东;王猛;吕政 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 | 代理人： | 蔡纯,张靖琳 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种制造横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的方法。所述方法包括在半导体层的表面形成高压栅极电介质；在半导体层上形成至少一部分与高压栅极电介质相邻的薄栅极电介质；在薄栅极电介质和高压栅极电介质上形成栅极导体；采用第一掩模图案化栅极导体，限定栅极导体的第一侧壁，其中，第一侧壁位于薄栅极电介质上方；采用第二掩模图案化栅极导体，限定栅极导体的第二侧壁，其中，第二侧壁的至少一部分位于高压栅极电介质上方；形成第一掺杂类型的源区和漏区，其中，该方法还包括经由第一掩模来注入掺杂剂，形成第二掺杂类型的体区，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。该方法简化工艺步骤并提高最终器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的方法，包括：形成第一掺杂类型的半导体层；在半导体层的表面形成高压栅极电介质；在半导体层上形成至少一部分与高压栅极电介质相邻的薄栅极电介质；在薄栅极电介质和高压栅极电介质上形成栅极导体；采用第一掩模图案化栅极导体，在所述栅极导体中形成第一开口，用于限定栅极导体的第一侧壁，其中，所述第一侧壁位于所述薄栅极电介质上方；经由所述第一掩模和所述第一开口来注入掺杂剂，形成第二掺杂类型的体区，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；采用第二掩模图案化栅极导体，在所述栅极导体中形成第二开口，用于限定栅极导体的第二侧壁，其中，所述第二侧壁的至少一部分位于高压栅极电介质上方；形成与高压栅极电介质相邻的第一掺杂类型的漂移区；以及分别在所述体区和所述漂移区中形成第一掺杂类型的源区和漏区。
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