[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种制造横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的方法，包括：

形成第一掺杂类型的半导体层；

在半导体层的表面形成高压栅极电介质；

在半导体层上形成至少一部分与高压栅极电介质相邻的薄栅极电介质；

在薄栅极电介质和高压栅极电介质上形成栅极导体；

采用第一掩模图案化栅极导体，在所述栅极导体中形成第一开口，用于限定栅极导体的第一侧壁，其中，所述第一侧壁位于所述薄栅极电介质上方；

经由所述第一掩模和所述第一开口来注入掺杂剂，形成第二掺杂类型的体区，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；

采用第二掩模图案化栅极导体，在所述栅极导体中形成第二开口，用于限定栅极导体的第二侧壁，其中，所述第二侧壁的至少一部分位于高压栅极电介质上方；

形成与高压栅极电介质相邻的第一掺杂类型的漂移区；以及

分别在所述体区和所述漂移区中形成第一掺杂类型的源区和漏区。

2.根据权利要求1所述的方法，包括：

在形成所述第二掺杂类型的体区之后，采用第一掩模注入第一掺杂类型的掺杂剂，以形成源链接区。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成第一掺杂类型的半导体层包括：在半导体衬底中注入掺杂剂，形成第一掺杂类型的深阱区作为半导体层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成第一掺杂类型的半导体层包括：

在半导体衬底上外延生长半导体层；以及

在半导体层中注入第一掺杂类型的掺杂剂。

5.根据权利要求1所述的方法，在形成半导体层的步骤之前，或者在形成半导体层的步骤和形成高压栅极电介质的步骤之间，还包括形成用于限定有源区的浅沟槽隔离。

6.根据权利要求1所述的方法，在形成半导体层的步骤和形成高压栅极电介质的步骤之间，还包括形成用于限定有源区的场氧化物。

7.根据权利要求1所述的方法，其中采用硅局部氧化形成高压栅极电介质。

8.根据权利要求1所述的方法，其中高压栅极电介质在漏区侧横向延伸至栅极导体的边缘以外。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在形成薄栅极电介质、高压栅极电介质和栅极导体一起组成的栅叠层之后，还包括在栅极导体的侧壁上形成栅极侧墙。

10.根据权利要求1所述的方法，在形成源区和漏区之后还包括：形成与源区相邻的第二掺杂类型的体接触区。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述体接触区相对于所述体区重掺杂。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述薄栅极电介质和所述高压栅极电介质分别由选自氧化物、氮化物和高K电介质中的至少一种组成。