[发明专利]用于确定半导体器件的热阻抗的方法在审
| 申请号： | 201410480442.0 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN104465316A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | O.D.科勒;J.霍姆特;M.里希特 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;胡莉莉 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于确定半导体器件的热阻抗的方法，其中给所述半导体器件通加热电流（101、201），确定所述半导体器件上的损耗功率，检测所述半导体器件上的依赖于半导体器件的温度的电压降（103、205），由所检测的电压降将半导体器件关于时间的温度作为加热曲线来确定（104、207）并且将所述半导体器件的热阻抗作为所确定的温度和所确定的损耗功率的商来确定（106、208）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 确定 半导体器件 阻抗 方法 | ||
【主权项】：
用于确定半导体器件（H1）的热阻抗的方法，其中－给所述半导体器件（H1）通加热电流（101、201），－确定所述半导体器件（H1）上的损耗功率（102、203），－检测所述半导体器件（H1）上的依赖于半导体器件的温度的电压降（103、205），－由所检测的电压降将半导体器件关于时间的温度作为加热曲线来确定（104、207）和－将所述半导体器件（H1）的热阻抗确定为所确定的温度和所确定的损耗功率的商（106、208）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
