[发明专利]用于确定半导体器件的热阻抗的方法在审
| 申请号: | 201410480442.0 | 申请日: | 2014-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN104465316A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
| 发明(设计)人: | O.D.科勒;J.霍姆特;M.里希特 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜荔南;胡莉莉 |
| 地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 确定 半导体器件 阻抗 方法 | ||
1.用于确定半导体器件(H1)的热阻抗的方法,其中
-给所述半导体器件(H1)通加热电流(101、201),
-确定所述半导体器件(H1)上的损耗功率(102、203),
-检测所述半导体器件(H1)上的依赖于半导体器件的温度的电压降(103、205),
-由所检测的电压降将半导体器件关于时间的温度作为加热曲线来确定(104、207)和
-将所述半导体器件(H1)的热阻抗确定为所确定的温度和所确定的损耗功率的商(106、208)。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述温度由所检测的电压降借助校准特征曲线来确定(104a),其中所述校准特征曲线描述所述温度和所述电压降之间的相互关系。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述加热电流被调节为,使得恒定的损耗功率在所述半导体器件上出现(102)。
4.根据上述权利要求之一所述的方法,其中在达到热平衡之后确定所述半导体器件(H1)的热阻抗(105)。
5.根据上述权利要求之一所述的方法,其中所述温度由所检测的电压降和所述加热电流借助校准特征曲线来确定(104a),其中所述校准特征曲线描述在所述加热电流的情况下的温度和电压降之间的相互关系。
6.根据权利要求1或2所述的方法,其中通过加热电流将所述半导体器件(H1)加热到直至热平衡(201)并且随后将所述加热电流减小到较小的测量电流(204)。
7.根据权利要求6所述的方法,其中在减小所述加热电流(204)之前确定所述半导体器件上的损耗功率(203)。
8.根据权利要求7所述的方法,其中在减小所述加热电流(204)之后关于时间来确定温度作为冷却曲线(206)并且所述加热曲线通过所述冷却曲线的变换而被确定(207)。
9.根据上述权利要求之一所述的方法,其中由所确定的热阻抗推导出所述半导体器件(H1)的各个材料层之间的热连接(302)。
10.根据上述权利要求之一所述的方法,其中如果所述半导体器件(H1)的各个材料层之间的热连接达到阈值(303),那么执行保护措施(304)。
11.根据上述权利要求之一所述的方法,其中所述半导体器件(H1)被用在机动车的控制电路(10)中和/或机动车的控制设备中。
12.计算单元,所述计算单元被设置用于执行根据上述权利要求之一的方法。
13.计算机程序,所述计算机程序促使计算单元在以下情况下执行根据权利要求1至11之一的方法,即在所述方法在特别是根据权利要求12的计算单元上被实施时。
14.机器可读的存储介质,具有存储在其上的根据权利要求13的计算机程序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





