[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，通过沉积法在源漏电极层与源漏极区域之间沉积极薄含氢氧化物半导体层，并利用退火工艺最终形成薄膜晶体管，该晶体管在源漏电极层与源漏极区域接触的区域具有引入的氢浓度分布。在源漏极金属电极层和源漏区域与中间层接触的界面处引入的氢浓度最高，并且在远离界面处的方向上引入的氢浓度逐渐变小。进一步的，在靠近所述沟道区域的所述源漏区域部分没有覆盖所述源漏极金属电极层，且在所述源漏电极层远离所述源漏区域的一端以及沟道区域内没有引入的氢浓度分布，本发明在不导致氧化物薄膜晶体管性能下降的情况下，能够有效降低氧化物半导体薄膜晶体管的串联电阻。

主权项

一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，包括步骤：a、在绝缘衬底（101）上形成底部栅极层（103），在底部栅电极（103）上形成栅绝缘膜（102），在栅极绝缘膜上（102）形成形成图形化的氧化物半导体层；b、所述图形化的氧化物半导体层包括栅电极层正对的沟道区域（1041）和沟道区域两侧的源漏区域；c、在所述图形化的氧化物半导体层上形成图案化的绝缘层（106），该图案化的绝缘层覆盖沟道区域和部分源漏区域；d、与所述未被绝缘层覆盖的源漏区域上形成极薄富氢氧化物半导体层；e、沉积图形化的源漏电极层，并与源漏区域上的富氢氧化物半导体层接触；f、热处理，完成制备。