[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，包括步骤：

a、在绝缘衬底（101）上形成底部栅极层（103），在底部栅电极（103）上形成栅绝缘膜（102），在栅极绝缘膜上（102）形成形成图形化的氧化物半导体层；

b、所述图形化的氧化物半导体层包括栅电极层正对的沟道区域（1041）和沟道区域两侧的源漏区域；

c、在所述图形化的氧化物半导体层上形成图案化的绝缘层（106），该图案化的绝缘层覆盖沟道区域和部分源漏区域；

d、与所述未被绝缘层覆盖的源漏区域上形成极薄富氢氧化物半导体层；

e、沉积图形化的源漏电极层，并与源漏区域上的富氢氧化物半导体层接触；

f、热处理，完成制备。

2.如权利要求1所述的制备方法，所述被绝缘层覆盖的源漏区域的长度优选为源漏区域长度的1/4到1/2之间。

3.如权利要求1所述的制备方法，所述极薄的富氢氧化物半导体层（1021）的厚度为8-15纳米。

4.如权利要求1所述的制备方法，所述极薄富氢氧化物半导体层由含氢气氛磁控溅射技术沉积得到。

5.如权利要求1所述的制备方法，在所述源漏电极层与所述源极区域界面处引入的氢浓度最高，并且在远离界面处的方向上引入的氢浓度逐渐变小。

6.如权利要求5所所的制备方法，所述源漏电极层远离所述源漏区域的一端没有引入的氢浓度分布，所述沟道区域内没有引入的氢浓度分布。

7.如权利要求1-6所述的任一项权利要求，所述含氢气氛磁控溅射技术包括以下步骤：

a、将衬底置入磁控溅射设备，选用与氧化物半导体层（104）相同材料的靶材，本底真空度为2×10-4pa，衬底温度400-600摄氏度之间；

b、通入携氢气氛，该携氢气氛为每90份体积的高纯氩气（99.999%）携带10份体积的氢气；

c、溅射功率为20-40w，开始溅射，沉积厚度在8-20纳米；

d、真空快速冷却，完成沉积。